YZPST-BTA204X-800E

Símbolo

Valor

Unidad

IT(RMS)

4

A

VDRM / VRRM

≥800

V

ITSM

25

A

Símbolo

Parámetro

Valor

Unidad

IT (RMS)

Corriente eficaz en estado de conducción (onda senoidal completa)

4

A

ITSM

Corriente pico no repetitiva en estado de conducción

(Tj=25℃, tp=20 ms)

 25

A

I2t

I2t para fusión (tp=10 ms)

3.1

A2S

IGM

Corriente máxima de compuerta

2

A

VGM

Tensión máxima de puerta

5

V

PGM

Potencia de pico de compuerta

5

W

PG(AV)

Potencia media de compuerta

0.5

W

di/dt

Tasa repetitiva de aumento de la corriente en estado de conducción tras el disparo

(IT=6A, IG=0.2A, dIG/dt=0.2A/us)

 100

A/μs

Tstg

Tj

Temperatura de almacenamiento

Temperatura de unión de funcionamiento

-40--+150

-40--+110

℃

Símbolo

Parámetro

Condición

Mín.

Tipo

Máx.

Unidad

Rth j-mb

Resistencia térmica, unión a mb

Un ciclo Medio ciclo

——

——

——

——

3.0

3.7

K/W

K/W

Rth j-a

Térmica

Resistencia, unión a ambiente

en aire libre

 ——

 60

 ——

K/W

Símbolo

Condiciones

Mín.

Tipo

Máx.

Unidad

BT204-

VD=12V IT=0.1A T2+ G+

T2+ G-

35

mA

IGT

T2- G-

——

35

mA

——

35

mA

——

IH

VD=12V IGT=0.1A

2

12

mA

IL

IG=2×IGT

Ⅰ-Ⅲ

6

mA

Ⅱ

9

VTM

IT=8A

——

1.25

1.7

V

IDRM

V DRM=600V

10

μA

IRRM

VRRM=600V

10

μA

VD=12V IT=0.1A

0.7

1.65

V

VGT

VD=400V IT=0.1A

0.25

0.4

1.5

V

Tj=125 ℃

VD=VDRM（MÁX）

mA

ID

Tj=125 ℃

——

0.1

0.5

Símbolo

Condiciones

Mín.

Tipo

Máx.

Unidad

dVD/dt

VDM=67%VDm（MÁX）

Tj=125 ℃

 30

V/μs

tgt

ITm=12A VD=VDRM（MÁX）

IG=0.1A dlG/dt=5A/ms

 2

 ——

μs