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YZPST-BTA25-600BW TG25C60
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Serie YZPST-TG25
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
TRIAC (TIPO AISLADO)
TG25C/E/D son triacs moldeados aislados, adecuados para una amplia gama de aplicaciones como fotocopiadoras, hornos microondas, interruptores de estado sólido,
control de motores, control de iluminación y control de calefacción.
IT AV 25 A
Alta capacidad de sobrecorriente: 400 A
Montaje aislado AC2500V
Terminales de lengüeta
Máximo Clasificaciones
Símbolo | Ítem | Condiciones | Clasificaciones | Unidad |
IT RMS | Corriente RMS en estado de conducción | Tc | 25 | A |
ITSM | Corriente de estado directo de sobretensión | Un ciclo, 50Hz/60Hz, pico, no repetitivo | 300/330 | A |
I2t | I2t | Valor para un ciclo de corriente de sobretensión | 450 | A2S |
PGM | Disipación máxima de potencia de compuerta |
| 10 | W |
PGAV | Disipación media de potencia de compuerta |
| 1 | W |
IGM | Corriente máxima de compuerta |
| 3 | A |
VGM | Tensión pico de puerta |
| 10 | V |
di/dt | Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción | IG=100mA, Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/μS | 50 | A/μS |
Tj | Temperatura de unión de funcionamiento |
| -25～+125 | ℃ |
Tstg | Temperatura de almacenamiento |
| -40～+125 | ℃ |
VISO | Tensión de ruptura de aislamiento, valor eficaz | CA 1 minuto | 2500 | V |
| Par de montaje M4 | Valor recomendado 1.0～1.4（10～14） | 14 | kgf·cm |
Máximo Clasificaciones
Tj=25 salvo que se especifique lo contrario
| Símbolo | Ítem | Clasificaciones | Unidad | |||
| TG25C60 | TG25C80 | TG25C100 | TG25C12 | V | ||
| VDRM | Pico Máximo en estado de bloqueo Voltaje | 400 | 800 | 1000 | 1200 | V |
Símbolo | Ítem | Condiciones | Clasificaciones | Unidad | |
IDRM | Corriente pico repetitiva en estado de bloqueo corriente, máx. | VD=VDRM, monofásico, media onda, Tj=125 ℃ | 5 | mA | |
VTM | Tensión pico en estado de conducción, máx. | Corriente en estado de conducción Corriente en estado de conducción √2×IT (RMS), medición instantánea | 1.4 | V | |
I GT1 + | 1 | Corriente de disparo de compuerta, máx. | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA |
I GT1 - | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA | |
I GT3 + | 3 |
| - | mA | |
I GT3 + | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA | |
V GT1+ | 1 | Tensión de disparo de compuerta, máx. | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V |
V GT1- | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V | |
V GT3+ | 3 |
| - | V | |
V GT3- | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 |
| |
VGD | Tensión de compuerta sin disparo, mín. | Tj =25℃, VD= 1/2VRRM | 0.2 | V | |
tgt | Tiempo de encendido, máx. | IT=(RMS),IG= 100mA,VD=1/2VDR M,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS | 10 | V | |
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado de conducción tensión, mín. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM onda exponencial. | 20 | V/μS | |
(dv/dt) c | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado de bloqueo Tensión en la conmutación, mín. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS | 5 | V/μS | |
IH | Corriente de mantenimiento, típ. | Tj =25℃ | 30 | mA | |
Rth(j-c) | Impedancia térmica, máx. | Junción a encapsulado | 1.5 | ℃/W | |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
