Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Voltaje Colector-Base

V CBO

20

V

Voltaje Colector-Emisor

V CEO

11

V

Voltaje emisor-base

V EBO

3

V

Corriente del colector

I C

50

mA

Disipación de potencia del colector

P C

0.2

W

Temperatura de unión

T j

150

0 C

Temperatura de almacenamiento

T stg

-55~+150

0 C

Parámetro

Símbolo

Mín.

Típ

Máx.

Unidad

Condiciones

Voltaje de ruptura colector-base

BV CBO

20

-

-

V

I C =10 m A

Voltaje de ruptura colector-emisor

BV CEO

11

-

-

V

I C =1mA

Voltaje de ruptura emisor-base

BV EBO

3

-

-

V

I E =10 m A

Corriente de corte del colector

I CBO

-

-

0.5

m A

V CB =10V

Corriente de corte del emisor

I EBO

-

-

0.5

m A

V EB =2V

Voltaje de saturación colector-emisor

V CE(sat)

-

-

0.5

V

I C /I B =10mA/5mA

Relación de transferencia de corriente continua

h FE

56

-

120

-

V CE /I C =10V/5mA

Frecuencia de transición

f T

1.4

3.2

-

GHz

V CE =10V, I E =-10mA, f=500MHz

Capacitancia de salida

Cob

-

0.8

1.5

pF

V CB =10V, I E =0A, f=1MHz

Constante de tiempo colector-base

rbb`Cc

-

4

12

ps

V CB =10V, I C =10mA, f=31.8MHz

Factor de ruido

NF

-

3.5

-

dB

V CE =6V, I C =2mA, f=500MHz,Rg=50 W