Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Tensión colector-base

VCBO

20

V

Tensión colector-emisor

VCEO

11

V

Tensión emisor-base

VEBO

3

V

Corriente de colector

IC

50

mA

Disipación de potencia del colector

PC

0.2

W

Temperatura de unión

Tj

150

°C

Temperatura de almacenamiento

Tstg

-55~+150

°C

Parámetro

Símbolo

Mín.

Típ.

Máx.

Unidad

Condiciones

Tensión de ruptura colector-base

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Tensión de ruptura colector-emisor

BVCEO

11

-

-

V

IC=1 mA

Tensión de ruptura emisor-base

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Corriente de corte del colector

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Corriente de corte del emisor

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2V

Tensión de saturación colector-emisor

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10mA/5mA

Relación de transferencia de corriente continua

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10V/5mA

Frecuencia de transición

fT

1.4

3.2

-

GHz

VCE=10 V, IE=-10mA, f=500MHz

Capacitancia de salida

Cob

-

0.8

1.5

pF

VCB=10 V, IE=0A, f=1MHz

Constante de tiempo colector-base

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10 V, IC=10mA, f=31.8MHz

Factor de ruido

NF

-

3.5

-

dB

VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50W