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YZPST-BTA06-600SW
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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YZPST-BTA06-600SW
Triac BTA06 600SW de 6 A con alto rendimiento de conmutación T0-220
BTA06/BTB06 Serie 6A Triacs
DESCRIPCIÓN:
Con gran capacidad para soportar choques de corriente elevadas, los triacs de la serie BTA06/BTB06 ofrecen una alta tasa dv/dt y una fuerte resistencia a las interferencias electromagnéticas.
Con excelentes características de conmutación, los productos de 3 cuadrantes están especialmente recomendados para cargas inductivas. Desde los tres terminales hasta el disipador externo, BTA06 proporciona una tensión de aislamiento nominal de 2500 VRMS conforme a las normas UL
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:
ssímbolo | valore | uUnidad |
IT(RMS) | 6 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤ 1.5 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES:
Parámetro | Ssímbolo | Valore | UUnidad |
Rango de temperatura de unión de almacenamiento | Tstg | -40~150 | C |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~125 | C |
Tensión de pico repetitiva en estado de bloqueo (Tj=25C) | VDRM | 600/800 | V |
Tensión de pico repetitiva inversa (Tj=25C) | VRRM | 600/800 | V |
Corriente RMS en estado de conducción | IT(RMS) | 6 | A |
Corriente de pico de sobrecorriente no repetitiva en conducción (ciclo completo, F=50Hz) |
ITSM |
60 |
A |
FICHA TÉCNICA DEL PRODUCTO
Valor I2t para fusión (tp=10ms) | I2t | 18 | A2s |
Tasa crítica de aumento de la corriente en conducción (IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 2 | A |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
Potencia máxima de compuerta | PGM | 5 | W |
ELÉCTRICAS CARACTERÍSTICAS(Tj=25C salvo que se especifique lo contrario)
3 Cuadrantes：
| Parámetro | Valore | |||||||
| Ensayo Condición | Qcuadrante | TW | SW | CW | BW | UUnidad | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0 2 | V | |||
| IH | IT=100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | mA | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125CApertura de compuertan | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/µs | ||
4 Cuadrantes：
| Parámetro | Valore | |||||
| Ensayo Condición | Qcuadrante | C | B | UUnidad | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | ALL | MÍN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
TÉRMICAS RESISTENCIAS
| Ssímbolo | Ensayo Condición | Valore | UUnidad | |
| Rth(j-c) | unión a case(CA) | TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | C/W |
| TO-220A(Ais) | 3.4 | |||
| TO-220B(No-Ais) | 2.2 | |||
| TO-220F(Ais) | 3.2 | |||
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
