YZPST-2N6075B

Descripción

símbolo

valor

unidad

Pico  pico  en estado de bloqueo voltaje

(Tj =  -40   ~ 125℃ )

Medio senoidal onda  50 Hz,  compuerta  abierto

-6075B

V DRM

VRRM

600

600

V

Nominal  Eficaz  en estado de conducción  corriente

Total  senoidal onda  5 0  Hz

IT(Eficaz)

4

A

No repetitivo  pico  sobretensión  current

(unión temperatura  Tj  = 2 5℃ )

Uno  ciclo  5 0  Hz

ITSM

30

A

Fusible  current

(t  =  8.3  ms)

2

I t

3.7

A2s

Puerta  promedio  potencia

(TC  =  8 0℃ , t  =  8.3  ms)

PG(AV)

0.5

W

Puerta  pico  current

(t ≤ 2.0 μ  s)

IGM

1

A

Instrucciones unión temperatura

TJ

-40~ 110

℃

Almacenamiento temperatura

Tstg

-40~150

℃

Descripción

Símbolo

Máx.

Unidad

Resistencia térmica   (unión a la carcasa)

Rj C

3.5

℃/W

Resistencia térmica   (unión al ambiente)

Rj A

75

℃//W

Descripción

Símbolo

Mín.

Tipo

Máx.

Unidad

Pico  pico  en estado de bloqueo  current

(VD  =  nominal VDRM ,VR RM compuerta  abierto  )

Tj  = 2 5 ℃

Tj  =  1 1 0 ℃

IDRM, IRRM

-

-

10

2

uA mA

repetitivo  en estado de conducción Voltaje

(IT  = 6 A)

VT

-

2

V

Puerta disparo current

(VD  =  1 2  V,  RL  = 3 0 Ω  )

MT 2 ( +) , G( +)

MT2 (+),  G(- )

MT2 (- ),  G(- )

MT2 (- ),  G( + )                                                  - - - B

IGT

-

-

-

-

-

-

-

3

3

3

5

mA

Puerta disparo voltaje

(VD  =  1 2  V,  RL  = 3 0 Ω  )

Todo  se sube

VGT

-

1.4

2.5

V

Puerta  sin disparo voltaje

(VD  =  1 2  V,  RL  = 3 0 Ω  , Tj  =  1 1 0 校 )

Todo  se sube

VGD

0.2

-

-

V

Sujeción  current

(Conducción  corriente    IT= 100 mA)

Tj  = 2 5 ℃

Tj  =  1 1 0  ℃

IH

-

-

-

-

15

30

mA

Crítica Tasa de aumento de la tensión en estado de bloqueo

VDM=1/2VDRM, Tj=110 °C RGK=1 kΩ

dv/dt

5

-

V/μs