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YZPST-Z0103MA
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Norma Triacs de 1 AP/N:YZPST-Z0103MN0
Características
Corriente eficaz en estado de conducción, IT(RMS) 1 A
Tensión máxima repetitiva de bloqueo en estado de off, V DRM/VRRM 800 V
Corriente de compuerta de disparo, IGT (Q1) de 3 a 25 mA
Descripción
La serie Z01 es adecuada para aplicaciones generales de conmutación de CA.Estos dispositivos se
utilizan normalmente en aplicaciones como electrodomésticos
(electroválvula, bomba, cerradura de puerta, control de lámparas pequeñas), reguladores de velocidad de ventiladores,...
Hay disponibles diferentes sensibilidades de corriente de compuerta, lo que permite optimizar el rendimiento cuando se controlan
directamente mediante microcontroladores.
Tabla 1. Absoluto máximo nominalgs
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
IT(RMS) | Corriente eficaz en estado de conducción (onda sinusoidal completa ) | SOT-223 | T tab = 90 °C |
1 |
A |
TO-92 | TL = 50 °C | ||||
SMBflat-3L | T tab = 107 °C | ||||
ITSM | No corriente de sobretensión repetitiva pico en estado de conducción (ciclo completo, Tj eninicial = 25 °C) | F = 50 Hz | t = 20 ms | 8 | A |
F = 60 Hz | t = 16.7 ms | 8.5 | |||
I²t | I²Valor t para fusión | tp = 10 ms | 0.35 | ² A s | |
dI/dt | Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducciónde IG 2 x I GT , tr ≤ 100 ns | F = 120 Hz | Tj = 125 °C | 20 | A/µs |
IGM | Pico de compuerta current | tp = 20 µs | Tj = 125 °C | 1 | A |
PG(AV) | Potencia media de compuerta disipadaión | Tj = 125 °C | 1 | W | |
Tstg Tj | Temperatura de almacenamiento de la unión cago Temperatura de unión de funcionamiento rango | - 40 a + 150 - 40 a + 125 | °C | ||
Tabla 2. Eléctricas inversa (Tj = 25 °C, salvo que se especifique)
Símbolo |
Condiciones de prueba |
Cuadrante |
| Z01 |
Unidad | |||
03 | 07 | 09 | 10 | |||||
I GT (1) | VD = 12 V, RL = 30 Ω | I - II - III | MÁX. | 3 | 5 | 10 | 25 | mA |
IV | 5 | 7 | 10 | 25 | ||||
VGT | TODOS | MÁX. | 1.3 | V | ||||
VGD | VD = VDRM, RL = 3.3 kΩ, Tj = 125 °C |
TODOS |
MÍN. |
0.2 |
V | |||
IH (2) | IT = 50 mA | MÁX. | 7 | 10 | 10 | 25 | mA | |
IL | IG = 1.2 I GT | I - III - IV | MÁX. | 7 | 10 | 15 | 25 | mA |
II | 15 | 20 | 25 | 50 | ||||
dV/dt (2) | VD = 67% V DRMcompuerta oabierta Tj = 110 °C | MÍN. | 10 | 20 | 50 | 100 | V/μs | |
(dV/dt)c (2) | (dI/dt)c = 0.44 A/ms, Tj = 110 °C | MÍN. | 0.5 | 1 | 2 | 5 | V/μs | |
- MínimoI GT utiliza garantizado a 5% de IGT máx..
- Para ambas polaridadesde A2 referenciadas a A1.
Tabla 3. Características estáticas
| Símbolo | Condiciones de prueba | Valor | Unidad | ||
| VTM(1) | ITM = 1.4 A, tp = 380 µs | Tj = 25 °C | MÁX. | 1.6 | V |
| V a(1) | Tensión de umbral | Tj = 125 °C | MÁX. | 0.95 | V |
| Rd (1) | Dinámica resistencia | Tj = 125 °C | MÁX. | 400 | mΩ |
| I DRM | V DRM = VRRM | Tj = 25 °C | MÁX. | 5 | µA |
| IRRM | Tj = 125 °C | 0.5 | mA | ||
- Para ambas polaridadesde A2 referenciadas a A1.
Tabla 4. Resistences
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |||
| Rth(j-t) | Unión a lengüeta (CA) | SOT-223 | 25 | |||
| Rth(j-t) | Unión a lengüeta (CA) | SMBflat-3L | 14 | |||
| Rth(j-I) | Unión a terminal (CA) | TO-92 | 60 | |||
| S(1) = 5 cm² | SOT-223 | MÁX. | 60 | °C/W | ||
| Rth(j-a) | Unión a ambiente | SMBflat-3L | 75 | |||
| TO-92 | 150 | |||||
- S =cobre superficie bajo tab.
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
