YZPST-RGN040C024

pines

Descripción de pines

Función de los pines

1, 2, 24, 25

Puerta

Compuerta del driver

3-7, 9, 11-20, 22

Fuente

Fuente

8, 10, 21, 23

drenaje

Drenaje de potencia

Parámetro

Valor

Unidad

VDS,máx.

40

V

RDS(on), máx. @ VGS = 5 V

4.3

mΩ

QG, típ @ VDS = 20 V

6.2

nC

IDS, pulso

160

A

QOSS @ VDS = 20 V

14

nC

SÍMBOLO

PARÁMETRO

MAX

UNIDAD

VDS

Tensión drenaje-fuente (continua)

40

V

ID

Corriente continua

24

A

Pulsado (25 °C, TPulse = 300 µs)

160

A

VGS

Tensión puerta-fuente

6

V

Tensión puerta-fuente

-4

V

Ptot

Disipación de potencia (Tc, parte inferior = 25 °C)

43

W

TJ

Temperatura de funcionamiento

-40 a 150

˚C

TSTG

Temperatura de almacenamiento

-40 a 150

˚C

SÍMBOLO

PARÁMETRO

TYP

UNIDAD

Nota/condición de prueba

RθJC_top

Resistencia térmica, unión a encapsulado (superior)

26.2

°C/W

RθJC_bot

Resistencia térmica, unión a encapsulado (inferior)

2.9

°C/W

RθJA

Resistencia térmica, unión a ambiente 1

45.9

°C/W

Tsold

Temperatura máxima de soldadura por reflujo

260

°C

MSL3

SÍMBOLO

PARÁMETRO

MÍN

TYP

MAX

UNIDAD

CONDICIONES DE PRUEBA

BVDSS

Tensión drenaje-fuente

40

V

VGS = 0 V, ID = 500 μA

IDSS

Fuga drenaje-fuente

100

µA

VGS = 0 V, VDS = 32 V

IGSS

Fuga directa de compuerta a fuente

3

80

µA

VGS = 5 V

Fuga directa de compuerta a fuente

50

500

µA

VGS = 5 V, Tj = 125 °C

Fuga inversa de puerta a fuente

1

20

µA

VGS = -4 V

VGS(TH)

Tensión umbral de compuerta

0.7

2.4

V

VDS = VGS, ID = 7 mA

RDS(on)

Resistencia en estado de conducción drenaje-fuente

3

4.3

mΩ

VGS = 5 V, ID = 15 A

VSD

Tensión directa fuente-drenaje

1.9

V

IS = 0.5 A, VGS = 0 V

SÍMBOLO

PARÁMETRO

MÍN

TYP

MAX

UNIDAD

CONDICIONES DE PRUEBA

Ciss

Capacitancia de entrada

805

pF

VGS = 0 V, VDS = 20 V

Coss

Capacitancia de salida

428

Crss

Capacitancia de transferencia inversa

13

Coss(er)

Coss relacionado con la energía

600

VGS = 5 V, VDS = 20 V, ID = 15 A

Coss(tr)

Coss relacionado con el tiempo

703

RG

Resistencia de puerta

1.7

Ω

f = 1 MHz

QG

Carga total de compuerta

6.2

8.5

nC

VGS = 5 V, VDS = 20 V, ID = 15 A

QGS

Carga de puerta a fuente

1.4

VDS = 20 V, ID = 15 A

QGD

Carga de puerta a drenaje

0.8

QG(TH)

Carga de puerta en el umbral

0.9

QOSS

Carga de salida

14

VGS = 0 V, VDS = 0 V a 20 V