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YZPST-TG40E60
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Valores máximos
Símbolo | Ítem | Clasificaciones | Unidad |
TG40E60 | |||
VDRM | Pico Tensión máxima en estado debloqueo | 600 | V |
Símbolo | Ítem | Condiciones | Clasificaciones | Unidad |
IT（Eficaz） | R.M.S. En-conducción Corriente | Tc ＝64℃ | 40 | A |
ITSM | Sobretensión En-conducción Corriente | Uno ciclo, 50/60Hz, pico valor, no-repetitiva | 380/420 | A |
I2t | I2t | Valor para un ciclo de sobretensión current | 730 | A2s |
PGM | repetitivo Puerta Potencia Disipación |
| 10 | W |
PG（AV） | Puerta media Potencia Disipación |
| 1 | W |
IGM | repetitivo Puerta Corriente |
| 3 | A |
VGM | Tensión pico de puerta |
| 10 | V |
di/dt | Crítica Tasa de Aumento de Corriente en conducción | IG ＝100mA，VD = ½VDRM，diG/dt ＝1A/ μs | 50 | A/ μs |
Tj | Temperatura de unión de funcionamiento |
| -40～＋125 | ℃ |
Tstg | Almacenamiento Temperatura |
| -40～＋150 | ℃ |
VISO | Aislamiento Ruptura Voltaje（R.M.S.） | C.A.1 minuto | 2500 | V |
| Superficies de montaje Par de apriete（M4） | Valor recomendado 1.0～1,4N ・m（10～14kgf・㎝） | 1.5（15） | N･m （kgf･㎝） |
| Masa | Típico valor | 23 | g |
Eléctricas Características
Símbolo | Ítem | Condiciones | Clasificaciones | Unidad | |||
Mín.. | Típ. | Máx.. | |||||
IDRM | Pico Máximo en estado de bloqueo Corriente | Tj ＝125℃, VD ＝VDRM |
|
| 5 | mA | |
VTM | Tensión máxima en estado de conducción | IT ＝60A |
|
| 1.4 | V | |
I GT1 | 1 |
Puerta Disparo Corriente |
VD ＝6V, IT ＝1A |
|
| 50 | mA |
I GT1 | 2 |
|
| 50 | mA | ||
I GT3 | 3 | ― | ― | ― | mA | ||
I GT3 | 4 |
|
| 50 | mA | ||
VGT1 | 1 |
Tensión de disparo de compuerta |
VD ＝6V, IT ＝1A |
|
| 1.5 | V |
VGT1 | 2 |
|
| 1.5 | V | ||
VGT3 | 3 | ― | ― | ― | V | ||
VGT3 | 4 |
|
| 1.5 | V | ||
VGD | No-Disparo Puerta Voltaje | Tj ＝125℃, VD = ½VDRM | 0.2 |
|
| V | |
dv/dt | Crítica Tasa de Aumento de Estado de bloqueo Voltaje | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM, Exponencial onda. | 500 |
|
| V/ μs | |
〔dv/dt〕c | Crítica Tasa de Aumento de Estado de bloqueo Tensión en la conmutación | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM,〔di/dt〕c ＝10A/ms | 6 |
|
| V/ μs | |
IH | Corriente de mantenimiento |
|
| 30 |
| mA | |
Rth（j-c） | Térmica Impedancia | Unión a encapsulado |
|
| 1.3 | ℃/W | |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
