YZPST-M1A025120L
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
YZPST-M1A025120L
N-Canal SiC Potencia MOSFET
Características
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Fácil de conectar en paralelo y sencillo de excitar
Ventajas
Mayor eficiencia del sistema
Menores requisitos de refrigeración
Mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de conmutación del sistema
Aplicaciones
Fuentes de alimentación
Convertidores CC/CC de alta tensión
Variadores de motor
Fuentes de alimentación conmutadas
Aplicaciones de potencia pulsada
Valores máximos nominales (TC=25 ℃ salvo que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VDSmax | Tensión drenador-fuente | 1200 | V | VGS=0 V, ID=100 μA | |
| VGSmáx | Tensión puerta-fuente | -0.4 | V | Valores absolutos máximos | |
| VGSop | Tensión puerta-fuente | -0.25 | V | Valores operativos recomendados | |
| ID | Corriente continua de drenador | 65 | A | VGS=20 V, Tc=25 °C | |
| 43 | VGS=20V,Tc=100C | ||||
| ID(pulse) | Corriente de drenaje pulsada | 200 | A | Ancho de pulso limitado por TJmax | |
| PD | Disipación de potencia | 370 | W | Tc=25C,TJ=150C | |
| TJ, TSTG | Unión y almacenamiento en funcionamiento | -55 a +150 | C | ||
| Temperatura |
Características eléctricas (TC=25C salvo que se indique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| V(BR)DSS | Tensión de ruptura drenaje-fuente | 1200 | / | / | V | VGS=0 V, ID=100 μA | |
| VGS(th) | Tensión umbral de puerta | 1.9 | 2.4 | 4 | V | VDS=VGS,ID=15mA | Fig. 11 |
| / | 1.7 | / | VDS=VGS,ID=15mA,TJ=150C | ||||
| IDSS | Corriente de drenaje con tensión de puerta cero | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V,VGS=0V | |
| IGSS+ | Corriente de fuga puerta-fuente | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=25V | |
| IGSS- | Corriente de fuga puerta-fuente | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=-10V | |
| RDS(on) | Resistencia en estado de conducción drenaje-fuente | / | 25 | 34 | mΩ | VGS=20V,ID=50A | Fig. |
| / | 43 | / | VGS=20V,ID=50A,TJ=150C | 4,5,6 | |||
| Ciss | Capacitancia de entrada | / | 4200 | / | VGS=0 V | Fig. | |
| Coss | Capacitancia de salida | / | 250 | / | pF | VDS=1000 V | 15,16 |
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | / | 16 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Energía almacenada en Coss | / | 126 | / | µJ | VAC=25 mV | |
| EON | Energía de conmutación en el encendido | / | 1.8 | / | J | VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=50A,RG(ext)=2.5Ω,L=412μH | |
| EOFF | Energía de conmutación en el apagado | / | 0.6 | / | |||
| td(on) | Tiempo de retardo de encendido | / | 15 | / | |||
| tr | Tiempo de subida | / | 12 | / | ns | VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=50ARG(ext)=2.5Ω,RL=16Ω | |
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | / | 34 | / | |||
| tf | Tiempo de caída | / | 7 | / | |||
| RG(int) | Resistencia interna de puerta | / | 2.1 | / | Ω | f=1MHz,VAC=25mV | |
| GS | Carga de puerta a fuente | / | 54 | / | VDS=800 V | ||
| GD | Carga de puerta a drenaje | / | 29 | / | nC | VGS=-5V/20V | |
| G | Carga total de puerta | / | 195 | / | ID=50A |
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