YZPST-S4A010120A
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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P/N:YZPST-S4A010120Un diodo Schottky de SiC
Silicio carburo Schottky Diodo
Características
Corriente de recuperación inversa cero
Tensión de recuperación directa cero
Coeficiente de temperatura positivo en VF
Conmutación independiente de la temperatura
Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C
Ventajas
Sustituye dispositivos bipolares por un dispositivo unipolar
Reducción del tamaño del disipador de calor
Dispositivos en paralelo sin fuga térmica
Prácticamente sin pérdidas de conmutación
Aplic.específicas
Fuentes de alimentación conmutadas
Corrección del factor de potencia
Accionamientos de motor, inversor fotovoltaico, central eólica
Máx.máximo Clasificaciones
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VRRM | Tensión inversa de pico repetitiva | 1200 | V | TC = 25 °C | |
| VRSM | Tensión inversa de pico de sobrecarga | 1200 | V | TC = 25 °C | |
| VR | Tensión de bloqueo de CC | 1200 | V | TC = 25 °C | |
| 30 | TC ≤ 25 °C | ||||
| IF | Corriente directa | 14 | A | TC ≤ 135 °C | |
| 10 | TC ≤ 150 °C | ||||
| IFSM | Corriente de sobretensión directa no repetitiva | 95 | A | TC = 25 °C, tp = 8,3 ms, onda senoidal semiperiódica | |
| Ptot | Disipación de potencia | 150 | W | TC = 25 °C | Fig. 3 |
| TC | Temperatura máxima de la carcasa | 150 | C | ||
| TJ, TSTG | Temperatura de unión de funcionamiento y de almacenamiento | -55 a 175 | C | ||
| Par de montaje TO-220 | 1 | Nm | Tornillo M3 |
Eléctricas Características
| Símbolo | Parámetro | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VF | Tensión directa | 1.55 | 1.8 | V | IF = 10 A, TJ = 25 °C | Fig. 1 |
| 2.2 | 2.5 | IF = 10 A, TJ = 175 °C | ||||
| Corriente inversa | 2 | 20 | µA | VR = 1200 V, TJ = 25 °C | Fig. 2 | |
| IR | 10 | 200 | VR = 1200 V, TJ = 175 °C | |||
| 650 | VR = 0 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz VR = 400 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz VR = 800 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz | |||||
| C | Capacitancia total | 49 | / | pF | Fig. 5 | |
| 40 | ||||||
| Carga capacitiva total | / | nC | VR = 800 V, IF = 10 A | Fig. 4 | ||
| C | 29 | di/dt = 200 A/µs, TJ = 25 °C |
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