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YZPST-MDC160-16
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo de diodos rectificadores
P/N:YZPST-MDC160-16
Características:
- Placa base eléctricamente aislada
- Alta capacidad de sobretensión
- Uniones soldadas duras para una alta fiabilidad
Aplicaciones típicas:
- Rectificadores no controlados para convertidores CA/CC
- Rectificador de línea para controladores de motores de CA con transistores
- Alimentación de campo para motores de CC
Recuperación inversa de bloqueo
Tipo de dispositivo | VRRM (1) | VRSM(1) |
YZPST MDC160 | 1600 V | 1700 V |
VRRM = tensión inversa máxima repetitiva
VRSM = tensión inversa máxima no repetitiva (2)
Notas:
Todos los valores nominales se especifican para Tj = 25 °C, salvo indicación en contrario.
(1) Todos los valores nominales de tensión se especifican para una forma de onda sinusoidal aplicada de 50 Hz / 60 Hz en el rango de temperatura de -40 a +135 °C.
(2) Ancho de pulso máx. de 10 ms
(3) Valor máximo para Tj = Tjmax
Corriente inversa de fuga de pico repetitiva | IRRM | 20 mA (3) |
Estado
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidad | Condiciones | ||
Valor medio de la corriente directa current | IF(AV) |
| 195 |
| A | Onda sinusoidal de 50 Hz, conducción de 180°, Tc = 85 °C | ||
Valor RMS de la corriente directa | IF(RMS) |
| 300 |
| A | Onda sinusoidal de 50 Hz, conducción de 180°, Tc = 85 °C | ||
Pico de una sola sobrecorriente de ciclo corriente (no repetitiva) | IFSM |
| 5 |
| kA | Onda sinusoidal de 50 Hz, conducción de 180°, Tj = Tjmax, VR = 0 | ||
I al cuadrado t | I2 t |
| 125 |
| kA2s | Tj = Tjmax | ||
Tensión pico en directa | VFM |
| 1.35 |
| V | Corriente directa 500 A, Tj = Tjmax | ||
Tensión umbral | VF(TO) |
| 0.85 |
| V | Tj = Tjmax | ||
Resistencia de pendiente directa | rF |
| 1 |
| mΩ | Tj = Tjmax | ||
Tensión de aislamiento RMS | VAISLAMIENTO |
| 3000 |
| V | CA 50 Hz, 60 s | ||
Características térmicas y mecánicas y clasificacionesclasificaciones
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidad | Condiciones | ||
| Funcionamiento unión temperatura | Tj | -40 | 135 | °C | ||||
| Almacenamiento temperatura | Tstg | -40 | 125 | °C | ||||
| Térmica resistencia | Rth(j-c) | 0.18 | °C/W | SIN conducción de 180° | ||||
| unión a case (por diodo) | montaje lisas y planas liso, plano y engrasado | |||||||
| Térmica resistencia | Rth(c-s) | 0.05 | °C/W | |||||
| carcasa a disipador (por módulo) | ||||||||
| Par de apriete de montaje | T | 2.5 | 3.5 | N·m | ||||
| case-disipador | ||||||||
| Par de apriete de montaje | T | 4 | 6 | N·m | ||||
| terminales de barra colectora | ||||||||
| Peso | W | 200 | g | |||||
CONTORNO Y DIMENSIONES
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
