IMAGEN DEL PRODUCTO01 / GALERÍA
COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-R80N65HTNF
✓Información técnica del producto✓Asesoramiento de selección orientado a la aplicación✓Consulta basada en catálogo y requisitos
Correo electrónicoinfo@yzpst.net
Teléfono+86 138 0527 8321
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
CENTRO DE DOCUMENTACIÓN
Descargas y archivos técnicos
P/N: YZPST-R80N65HTNF
MOSFET de potencia de canal N
Características
Tecnología avanzada
Bajas pérdidas de conducción y conmutación
Excelente estabilidad y uniformidad
Diodo antiparalelo rápido y suave
Aplicaciones
Convertidores de inducción
Sistemas de alimentación ininterrumpida
Parámetros clave de rendimiento
Parámetro | Valor | Unidad |
VCES, mín. @ 25 °C | 650 | V |
Temperatura máxima de la unión | 175 | °C |
I°C, pulso | 320 | A |
VCE(sat), típ. @ VGE=15 V | 1.35 | V |
Qg | 224 | nC |
Marcado Información
Producto Nombre | Encapsulado | Marcado |
R8 0N65HTNF | TO247 | R80N65HTN |
Encapsulado y pines Información
Información del encapsulado
No hay contenido adicional del producto disponible.
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
Seguir a YZPST
