.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-MS38N100
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
MOSFET de potencia
Modo de enriquecimiento de canal N
Rectificador intrínseco rápido
VDSS = 1000V
ID25 = 38A
RDS(on)≤ 210mΩ
trr≤ 300ns
Características
Paquete estándar internacional
Baja resistencia intrínseca de puerta
miniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio
Baja inductancia del encapsulado
Rectificador intrínseco rápido
Bajo RDS(on) y QG
Ventajas
Alta densidad de potencia
Fácil de montar
Ahorro de espacio
Aplicaciones
Convertidores DC-DC
Cargadores de baterías
Fuentes de alimentación conmutadas y resonantes
Control de motores de CA
Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
| Símbolo | Condiciones de prueba | Valores máximos | |
| VDSS | TJ = de 25℃ a 150℃ | 1000 | V |
| VDGR | TJ = de 25℃ a 150℃, RGS = 1 MΩ | 1000 | V |
| VGSS | Continuo | ±30 | V |
| VGSM | Transitorio | ±40 | V |
| ID25 | TC = 25℃ | 38 | A |
| IDM | TC = 25℃, ancho de pulso limitado por TJM | 120 | A |
| I A | TC = 25℃ | 19 | A |
| EAS | TC = 25℃ | 2 | J |
| dv/dt | IS < IDM, VDD < VDSS, TJ < 150℃ | 20 | V/ns |
| PD | T = 25℃ | 1000 | W |
| TJ | -55 ... +150 | ℃ | |
| TJM | 150 | ℃ | |
| TSTG | -55 ... +150 | ℃ | |
| VISOL | 50/60 Hz, RMS, t = 1 minuto | 2500 | V~ |
| I ISOL £ 1mA, t = 1s | 3000 | V~ | |
| MD | Par de apriete de montaje para la placa base | 1.5/13 1.3/11.5 | Nm/lb.in Nm/Ib.in |
| Par de apriete de la conexión de terminales | |||
| Peso | 30 | g |
Dimensiones del SOT-227B (IXFN)
Outline.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
