YZPST-MT250A1200V
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Características
Encapsulado estándar industrial
Placa base eléctricamente aislada
Transferencia de calor a través de una placa base metálica aislada con cerámica de óxido de aluminio
Chip soldado sobre cerámica AL2O3 unida directamente a cobre
Chip de tiristor con compuerta central
Aplicaciones típicas
Control de motor de CC
Arrancadores suaves para motores de CA
Control de temperatura
Regulación profesional de iluminación
VDRM/VRRM | 1200/1200 | V | |
VRSM | 1300 | V |
Símbolo | Condición | Valores nominales | Unidad |
IT(AV) | sen. 180; Tc =85°C, | 250 | A |
ITSM | Tvj =25°C; 10 ms | 9500 | A |
I2t | Tvj =25°C; 8,3…10 ms | 450 | kA2S |
(di/dt)cr | 130 | A/us | |
Viso | C.A. 1 s / 1 min. | V | |
Tj | -40 ~ +125 | °C | |
Tstg | -40 ~ +125 | °C | |
W | - | g |
Símbolo | Condición | Valores nominales | Unidad |
IDRM /IRRM | En VDRM, Tj=125°C | 85 | mA |
VT | Corriente en estado de conducción 750 A, Tj=25°C | 1.43 | V |
VT(TO) | Tj=125°C | 0.81 | V |
tgd | Tj=25°C | 1 | us |
tq | Tj=125°C | 150 | us |
IGT/VGT | Tj=25°C | 145 / 2 | mA/V |
VGD | Tj=125°C | 0.25 | V |
(dv/dt)cr | Tj=125°C | 1000 | V/us |
IH | Tj=25°C, típico / máx. | 140/450 | mA |
IL | Tj=25°C, típico / máx. | 200/1800 | mA |
Rth(j-c) | Por módulo | 0.0455 | K/W |
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
