YZPST-G900WB120B6TC
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Módulo IGBT de 1200 V 900 A
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
PRODUCTO CARACTERÍSTICAS
CHIP IGBT (Trench+FS)
Baja tensión de saturación y coeficiente de temperatura positivo
Conmutación rápida y corta corriente de cola
Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
Incluye sensor de temperatura
APLICACIONES
Control de motores de CA
Control de movimiento/servo
Inversores y fuentes de alimentación
Fotovoltaica/pila de combustible
IGBT: valores máximos absolutos(TC =25°C salvo que se especifique)
| Símbolo | Parámetro/condiciones de ensayo | Valores | Unidad | |
| VCES | Tensión colector-emisor | TJ=25 ℃ | 1200 | V |
| VGES | Tensión compuerta-emisor | ±20 | ||
| IC | Corriente continua de colector | TC=25℃, TJmáx =175℃ | 880 | |
| TC=95℃, TJmáx =175℃ | 900 | A | ||
| ICM | Corriente de colector de pico repetitiva | tp=1ms | 1200 | |
| Ptot | Disipación de potencia por IGBT | TC=25℃, TJmáx =175℃ | 3125 | W |
Diodo: CARACTERÍSTICAS MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC =25°C salvo que se especifique)
| Símbolo | Parámetro/condiciones de ensayo | Valores | Unidad | |
| VRRM | Tensión inversa repetitiva | TJ=25 ℃ | 1200 | V |
| IF(AV) | Corriente media directa | 900 | A | |
| IFRM | Corriente directa de pico repetitiva | tp=1ms | 1200 | |
| I2t | TJ =150℃, t=10 ms, VR=0 V | 45 | kA2s | |
Inversor IGBT
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS(TC =25°C salvo que se especifique)
| Símbolo | Parámetro/condiciones de ensayo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | ||
| VGE(th) | Tensión umbral puerta-emisor | VCE=VGE, IC=24 mA | 5 | 5.8 | 6.5 | ||
| Colector-emisor | IC=900 A, VGE=15 V, TJ=25℃ | 1.9 | 2.3 | ||||
| VCE(sat) | Tensión de saturación | IC=900 A, VGE=15 V, TJ=125℃ | 2.2 | V | |||
| IC=900 A, VGE=15 V, TJ=150℃ | 2.25 | ||||||
| ICES | Corriente de fuga del colector | VCE=1200 V, VGE=0 V, TJ=25℃ | 1 | mA | |||
| VCE=1200 V, VGE=0 V, TJ=150℃ | 10 | ||||||
| IGES | Corriente de fuga de puerta | VCE=0 V, VGE=±20 V, TJ=25℃ | -400 | 400 | nA | ||
| RGint | Resistencia de puerta integrada | 0.7 | Ω | ||||
| Qg | Carga de puerta | VCE=900 V, IC=900 A, VGE=15 V | 3.1 | µC | |||
| Cies | Capacitancia de entrada | VCE=25 V, VGE=0 V, f =1 MHz | 43.2 | nF | |||
| Cres | Capacitancia de transferencia inversa | 2.07 | nF | ||||
| td(on) | Tiempo de retardo de encendido | VCC=600 V, IC=900 A, RG =1.5 Ω, | TJ=25 ℃ | 100 | ns | ||
| VGE=±15 V, | TJ=150℃ | 110 | ns | ||||
| tr | Tiempo de subida | Carga inductiva | TJ=25 ℃ | 85 | ns | ||
| TJ=150℃ | 95 | ns | |||||
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | VCC=600 V, IC=900 A, RG =1.5 Ω, | TJ=25 ℃ | 530 | ns | ||
| VGE=±15 V, | TJ=150℃ | 580 | ns | ||||
| tf | Tiempo de caída | Carga inductiva | TJ=25 ℃ | 65 | ns | ||
| TJ=150℃ | 215 | ns | |||||
| TJ=25 ℃ | 55 | mJ | |||||
| Eon | Energía de encendido | TJ=125℃ | 85 | mJ | |||
| VCC=600 V, IC=900 A, RG =1.5 Ω, | TJ=150℃ | 95 | mJ | ||||
| VGE=±15 V, | TJ=25 ℃ | 45 | mJ | ||||
| Eoff | Energía de apagado | Carga inductiva | TJ=125℃ | 58 | mJ | ||
| TJ=150℃ | 63 | mJ | |||||
| ISC | Corriente de cortocircuito | tpsc≤10 µs, VGE=15 V | 2200 | A | |||
| TJ=150℃, VCC=800 V | |||||||
| RthJC | Resistencia térmica de unión a carcasa (por IGBT) | 0.048 | K /W | ||||
Contorno del encapsulado
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
