YZPST-MJD31C
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Transistores de potencia NPN de silicio
P/N: YZPST-MJD31C
DESCRIPCIÓN:
El MJD31C es un transistor de potencia NPN de silicio, diseñado para aplicaciones de conmutación lineal de potencia media.
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VCBO | Tensión colector-base | 100 | V |
VCEO | Tensión colector-emisor | 100 | V |
VEBO | Tensión emisor-base | 5 | V |
IC | Corriente continua de colector | 3 | A |
ICM | Corriente de colector - pulso | 5 | A |
IB | Corriente de base | 1 | A |
PTOT | Disipación total a Tcase=25℃ | 15 | W |
Tj | Temperatura de unión | 150 | ℃ |
Tstg | Rango de temperatura de almacenamiento | -55〜 150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TC = 25°C, salvo que se especifique lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
Mín. | Tipo | Máx. | ||||
ICEO | Corriente de corte del colector | VCE= 60 V |
|
| 0.3 | mA |
IEBO | Corriente de corte del emisor | VEB= 5 V |
|
| 1 | mA |
VCEO（SUS） | Tensión de sostenimiento colector-emisor | IC= 30 mA | 100 |
|
| V |
VCEsat | Saturación colector-emisor Voltaje | IC=3A IB=0.375A |
|
| 1.2 | V |
VBE | Tensión de encendido base-emisor | IC=3A ; VCE=4V |
|
| 1.8 | V |
hFE- 1 | Ganancia de corriente continua | IC= 1A ; VCE=4V | 25 |
|
|
|
hFE-2 | Ganancia de corriente continua | IC=3A ; VCE=4V | 10 |
| 50 |
|
fT | Frecuencia de transición | IC=0.5A ; VCE= 10V | 3 |
|
| MHz |
DATOS MECÁNICOS DEL ENCAPSULADO
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
