Características
- Alta capacidad de sobretensión
- Tipos de 50 V a 400 V VRRM
- No sensible a ESD
IMAGEN DEL PRODUCTO01 / GALERÍA
COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-MUR30040
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Teléfono+86 138 0527 8321
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
CENTRO DE DOCUMENTACIÓN
Descargas y archivos técnicos
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Diodo de recuperación ultrarrápida de silicio TIPO:YZPST-MUR30040
Símbolo | Condición | Valores nominales | Unidad |
IF(AV)M | TC=140°C; seno de 180° | 300 | A |
IFRMS | valor máximo para funcionamiento continuo | 425 | A |
IFSM | Tj=25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); seno | 1500 | A |
I2t | Tj=25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); seno | - | kA2S |
Viso | C.A. 1 minuto/1 segundo | - | V |
Tj | -55 ~ +150 | °C | |
Tstg | -55 ~ +150 | °C | |
M | par de apriete de montaje; ±15% | - | Nm |
par de apriete del terminal; ±15% | - | Nm | |
W | aprox. | - | g |
IRRM | Con VRRM, monofásico, onda completa, Tj=125°C | 3 | mA |
VFM | Corriente en estado de conducción 300A, Tj=25°C | 1.70 | V |
VF0 | Tj=150°C | - | V |
rF | Tj=150°C | - | mΩ |
trr | Tj=25°C; IF = 0,5A; -diF/dt = 15A/μs; VR = 30V; IRR = 0,25A | 90 | ns |
Qrr | Tj=150°C; IF = 50A; -diF/dt = 100A/μs; VR = 100V | - | us |
IRM | - | A | |
Rth(j-c) | Por módulo | 0.45 | °C/W |
Rth(c-h) | Por módulo | - | °C/W |
Dibujo del contorno
Para más información sobre el módulo de diodo de recuperación rápida, descargue el archivo PDF anterior llamado"YANGZHOU POSITIONING TECH CO piezas de tiristores y diodos de potencia"
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