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YZPST-MFC200-16
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
YZPST-MFC200-16
MÓDULO DE тирistor / DIODO
Características:
Transferencia de calor a través de base metálica aislada con cerámica de nitruro de aluminio
- Uniones soldadas duras para una alta fiabilidad
Tiristor con compuerta amplificadora
Aplicaciones típicas:
Control de motores de CC - arrancadores suaves para motores de CA
Control de temperatura
Regulación profesional de iluminación
Bloqueo en inversa - estado de bloqueo
| Tipo de dispositivo | VRRM (1) | VDRM (1) | VRSM (1) |
| YZPST MFC200 | 1600 V | 1600 V | 1700 V |
VRRM = tensión inversa máxima repetitiva
VDRM = tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo
VRSM = tensión máxima no repetitiva de pico inversa (2)
| Corriente de fuga máxima repetitiva en inversa y en estado de bloqueo | IRRM, IDRM | 70 mA (3) |
| Tasa crítica de aumento de la tensión en estado de bloqueo | dv/dt | 1000 V/µs (4) |
Estado
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidad | Condiciones | |
| Corriente media en estado de conducción / directa | ITAV, IFAV | 216 | A | onda sinusoidal de 50 Hz, conducción de 180° , | |||
| Tc = 85 °C | |||||||
| Corriente eficaz en estado de conducción / directa | ITRMS, IFRMS | 340 | A | onda sinusoidal de 50 Hz, conducción de 180° , | |||
| Tc = 85 °C | |||||||
| Corriente de sobretensión no repetitiva | ITSM, IFSM | 6.8 | kA | onda sinusoidal de 50 Hz | |||
| medio ciclo | |||||||
| I cuadrado t | I2 t | 231 | kA2s | VR = 0 | |||
| Tj = Tjmax | |||||||
| Tensión máxima en estado de conducción / directa | VTM, VFM | 1.1 | V | Corriente en estado de conducción 200 A, Tj = Tjmax | |||
| Tensión de umbral | VT(TO) | 0.8 | V | Tj = Tjmax | |||
| Resistencia de pendiente en estado de conducción | rT | 1.4 | mΩ | Tj = Tjmax | |||
| Corriente de mantenimiento | IH | 150 | mA | Tj = 25 °C | |||
| Corriente de enclavamiento | IL | 200 | mA | Tj = 25 °C | |||
| Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción | di/dt | 500 | A/µs | IG = 5 IGT, tr = 1 µs, Tj = Tjmax, no repet. | |||
| Tensión de aislamiento RMS | VINS | 3000 | V | CA 50 Hz, 60 s | |||
Disparo
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidad | Condiciones | |
| Corriente de puerta | IGT | 150 | mA | VD = 6 V; RL = 6 Ω; Tj = 25 °C | |||
| Tensión de puerta | VGT | 2 | V | VD = 6 V; RL = 6 Ω; Tj = 25 °C | |||
CONTORNO Y DIMENSIONES
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
