YZPST-SP50N80FX
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
MOSFET de potencia de canal N de 800 V
YZPST-SP50N80FX
CARACTERÍSTICAS
Conmutación rápida
Probado al 100 % frente a avalancha
Capacidad dv/dt mejorada
APLICACIONES
Fuente de alimentación conmutada (SMPS)
Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)
Corrección del factor de potencia (PFC)
Información de pedido, marcado y embalaje del dispositivo | |||
Número de pedido |
Encapsulado |
Marcado |
Embalaje |
SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Tubo |
Valores máximos absolutosTC= 25ºC, salvo indicación contraria | |||
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Tensión drenaje-fuente (VGS= 0V) | VDSS | 800 | V |
Corriente continua de drenaje | ID | 50 | A |
Pulsada drenaje Corriente (nota 1) | IDM | 200 | A |
Tensión puerta-fuente | VGSS | ±30 | V |
Pulso único Avalancha Energía (nota 2) | EAS | 4500 | mJ |
Pico Avalancha Energía (nota 1) | EAR | 60 | mJ |
Disipación de potencia (TC= 25ºC) | PD | 690 | W |
Rango de temperatura de unión y almacenamiento en funcionamiento | TJ, Tstg | -55~+150 | ºC |
Precaución:Esfuerzos superiores a los indicados en las “Clasificaciones máximas absolutas” pueden causar daños permanentes aldispositivo. | |||
Resistencia térmica | |||||||||
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||||||
Resistencia térmica, unión a encapsulado | RthJC |
0.18 |
ºC/W | ||||||
Resistencia térmica, unión a ambiente | RthJA | 40 | |||||||
EspecificacionesTJ= 25ºC, salvo indicación contraria | ||||||
Parámetro |
Símbolo |
Condiciones de prueba | Valor |
Unidad | ||
Mín. | Típ. | Máx. | ||||
Estática | ||||||
Tensión de ruptura drenaje-fuente | V(BR)DSS | VGS= 0V, ID= 250µA | 800 | -- | -- | V |
Corriente de drenaje con voltaje de puerta cero | IDSS | VHoja de datos=800, VGS= 0V, TJ= 25ºC | -- | -- | 1.0 | μA |
Fuga entre compuerta y fuente | IGSS | VGS = ±30V | -- | -- | ±100 | nA |
Tensión umbral puerta-fuente | VGS(th) | IHoja de datos= 250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
Resistencia en conducción drenador-fuente (nota 3) | RDS(on) | VGS= 10V, ID= 25A | -- | 120 | 130 | mΩ |
Dinámica | ||||||
Capacitancia de entrada | Ciss |
VGS= 0V, VHoja de datos= 25V, f = 1.0MHz | -- | 14600 | -- |
pF |
Capacitancia de salida | Coss | -- | 1300 | -- | ||
Capacitancia de transferencia inversa | Crss | -- | 66 | -- | ||
Carga total de puerta | Qg |
VDD=400V, ID=50A, VGS10V | -- | 360 | -- |
nC |
Carga compuerta-fuente | Qgs | -- | 80 | -- | ||
Carga compuerta-drenador | Qgd | -- | 120 | -- | ||
Tiempo de retardo de encendido | td(on) |
VDD400V, ID50A, RG10 Ω | -- | 110 | -- |
ns |
Tiempo de subida de encendido | tr | -- | 200 | -- | ||
Tiempo de retardo de apagado | td(off) | -- | 160 | -- | ||
Tiempo de caída al apagado | tf | -- | 185 | -- | ||
Características del diodo de cuerpo drenaje-fuente | ||||||
Corriente continua del diodo de cuerpo | IS |
TC25 ºC | -- | -- | 50 |
A |
Corriente directa de pulso del diodo | ISM | -- | -- | 400 | ||
Tensión del diodo de cuerpo | VSD | TJ25ºC, ISD25A, VGS0V | -- | -- | 1.4 | V |
Tiempo de recuperación inversa | trr | VGS0V,IS50A, diF/dt =100A /μs | -- | 520 | -- | ns |
Carga de recuperación inversa | Qrr | -- | 5.0 | -- | μC | |
Notas
1. Valor nominal repetitivo: ancho de pulso limitado por la temperatura máxima de unión
2. VDD= 50V, RG25 Ω, T inicialJ25 ºC
Prueba de pulso: ancho de pulso ≤ 300μs, ciclo de trabajo ≤ 1%
Para obtener más información sobreYZPST-SP50N80FXdescargue por favor el archivo PDF anterior llamado "YZPST-SP50N80FX"
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