YZPST-UGE0421AY4
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Amplio rango de corriente
Alta capacidad de corriente de sobretensión
Versiones con cátodo de espárrago y ánodo de espárrago
Aplicaciones típicas:
Convertidores
Fuentes de alimentación
Controles de máquinas herramienta
Cargadores de baterías
Conducción directa
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Tensión inversa máxima repetitiva | VRRM | 3200 |
|
| V |
|
Tensión inversa de pico no repetitiva | VRSM | 3300 |
|
| V |
|
Corriente directa media máx. | IF(AV)M |
| 10.9 |
| A | Onda sinusoidal, 180oconducción,Tc=45oC |
Corriente máxima RMS en directa | IF(RMS) |
| 40 |
| A | Valor nominal |
Corriente máxima de sobretensión directa, no repetitiva, de un ciclo | IFSM |
| 250 |
| A | 10,0 ms (50 Hz), forma de onda sinusoidal, 180oconducción, Tj= 150oC |
I máximo2t para fusión | I2t |
| - |
| A2s | |
Caída máx. de tensión en directa | VFM |
| 2.72 |
| V | ITM= 55 A; Tvj=25℃ |
Tensión de umbral | VF0 |
| 1.7 |
| V |
Especificaciones térmicas y mecánicas
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Temperatura de funcionamiento | Tj | -40 | +150 |
| oC |
|
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | +150 |
| oC |
|
Resistencia térmica: unión a encapsulado | RQ (j-c) |
| - |
| K/W |
|
Resistencia térmica - carcasa a disipador | RQ (c-s) |
| - |
| K/W |
|
Fuerza de montaje | P | - | 8 |
| Nm | ± 10% |
Peso | W | - | - | 115 | g |
|
Estilo de la carcasa |
|
|
| - |
| Ver tabla de contornos |
ESQUEMA DE LA CAJA Y DIMENSIONES.
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
