YZPST-MB10S
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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PUENTE RECTIFICADOR
YZPST-MB05S-MB10S
CARACTERÍSTICAS
Baja corriente de fuga en tensión inversa
Construcción de chip pasivado con vidrio
Baja caída de tensión directa
Alta capacidad de corriente de sobretensión en directa
Dispositivo pequeño de montaje superficial
DATOS MECÁNICOS
Encapsulado: MB-S
Material del encapsulado: plástico moldeado.Inflamabilidad UL
Clasificación: 94V-0
Peso: 0,22 gramos (aprox.)
VALORES MÁXIMOS (TA= 25°C salvo indicación contraria indicada)
Parámetro | Símbolo | MB05S | MB1S | MB2S | MB4S | MB6S | MB8S | MB10S | Unidad |
Pico repetitivo tensión inversa | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Tensión inversa CC | VR | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Tensión inversa RMS | V Eficaz | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Corriente media rectificada | IF | 0,5/0,8 | A | ||||||
Pico no repetitivo Parade Corriente de sobrecarga @ t = 8,3 ms | IFSM | 30 | A | ||||||
Resistencia térmicadesde Unión A Ambiente | RθJA | 90 | °C/W | ||||||
Temperatura de unión | TJ | -55 ~+150 | °C | ||||||
Almacenamiento Temperatura | TSTG | -55 ~+150 | °C | ||||||
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA= 25°C salvo que se indique lo contrario)
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Unidad | Condiciones |
Tensión directa | VF |
| 1.0 | V | IF=0.5A |
Tensión directa | VF |
| 1.1 | V | IF=0,8 A |
Recuperación inversa current T=25°C | IR |
| 5 | uA | VR=VRRM |
Corriente inversa T= 125 °C | IR |
| 40 | uA | VR=VRRM |
Capacitancia de unión | CJ |
| 13 | pF | V=4VCC ,f=1MH |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
