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YZPST-GD450HFX170C6S Módulo IGBT
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo IGBT
YZPST-450HFX170C6S
1700 V/450 A, 2 en un solo encapsulado
Descripción general
El módulo de potencia IGBT ofrece una pérdida de conducción ultrabaja, así como gran robustez frente a cortocircuitos.
baja pérdida de conducción y gran robustez frente a cortocircuitos.
Están diseñados para aplicaciones como
inversores generales y UPS.
Características
Tecnología IGBT de trinchera con bajo VCE(sat)
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Temperatura máxima de unión de 175 °C
Encapsulado de baja inductancia
FWD antiparalelo con recuperación inversa rápida y suave
Base aislada de cobre con tecnología DBC
Típico Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de accionamiento servo AC y DC
Fuente de alimentación ininterrumpida
IGBT
Símbolo | Descripción | Valor | Unidad |
VCES | Tensión colector-emisor | 1700 | V |
VGES | Tensión puerta-emisor | ±20 | V |
IC | Corriente de colector @ TC=25oC @ TC= 100oC | 706 450 | A |
ICM | Corriente de colector pulsada tp=1 ms | 900 | A |
PD | Disipación máxima de potencia @ T =175oC | 2542 | W |
Diodo
Símbolo | Descripción | Valor | Unidad |
VRRM | Tensión inversa máxima repetitiva | 1700 | V |
IF | Corriente directa continua del diodo | 450 | A |
IFM | Corriente máxima directa del diodo tp=1 ms | 900 | A |
Módulo
Símbolo | Descripción | Valor | Unidad |
Tjmax | Temperatura máxima de la unión | 175 | °C |
Tjop | Temperatura de unión de funcionamiento | -40 a +150 | °C |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -40 a +125 | °C |
VISO | Tensión de aislamiento RMS, f=50 Hz, t=1 min | 4000 | V |
IGBT Características TC=25 °C salvo indicación contraria
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| IC=450A,VGE=15 V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Colector a emisor | IC=450A,VGE=15 V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Tensión de saturación | IC=450A,VGE=15 V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Umbral puerta-emisor Voltaje | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Colector Corte-Apagado | VCE=VCES,VGE=0 V, | 5 | mA | ||
| Corriente | Tj=25oC | |||||
| IGES | Corriente de fuga puerta-emisor Corriente | VGE=VGES,VCE=0 V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Resistencia interna de puertaance | 1.67 | Ω | |||
| Cies | Capacitancia de entrada | VCE=25 V, f=1 MHz, | 54.2 | nF | ||
| Cres | Transferencia inversa | VGE=0V | 1.32 | nF | ||
| Capacitancia | ||||||
| QG | Carga de puerta | VGE=- 15…+15 V | 4.24 | μC | ||
| td(on) | Tiempo de retardo de conexión | 179 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida | 105 | ns | |||
| td(apagado) | Apagado Tiempo de retardo | VCC=900 V, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 V, Tj=25oC | 680 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | 375 | ns | |||
| Eon | Encendido Conmutación | 116 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| Eapagado | Conmutación de apagado | 113 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| td(on) | Tiempo de retardo de conexión | 208 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida | 120 | ns | |||
| td(apagado) | Apagado Tiempo de retardo | VCC=900 V, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 V, Tj= 125oC | 784 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | 613 | ns | |||
| Eon | Encendido Conmutación | 152 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| Eapagado | Conmutación de apagado | 171 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| td(on) | Tiempo de retardo de conexión | 208 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida | 120 | ns | |||
| td(apagado) | Apagado Tiempo de retardo | VCC=900 V, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 V, Tj= 150oC | 800 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | 720 | ns | |||
| Eon | Encendido Conmutación | 167 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| Eapagado | Conmutación de apagado | 179 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| tP≤10 μs, VGE=15 V, | ||||||
| ISC | Datos de SC | Tj=150oC, VCC= 1000 V, VCEM≤1700 V | 1800 | A |
Diodo Características TC=25 °C salvo indicación contraria
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| Diodo en conducción directa | IF=450A,VGE=0V,Tj=25oC | 1.8 | 2.25 | |||
| VF | Voltaje | IF=450A,VGE=0V,Tj= 125oC | 1.95 | V | ||
| IF=450A,VGE=0V,Tj= 150oC | 1.9 | |||||
| Qr | Carga recuperada | VR=900 V, IF=450A, | 105 | μC | ||
| IRM | Pico inverso | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj=25oC | 198 | A | ||
| Corriente de recuperación | ||||||
| Erec | Recuperación inversaEnergía | 69 | mJ | |||
| Qr | Carga recuperada | VR=900 V, IF=450A, | 187 | μC | ||
| IRM | Pico inverso | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj= 125oC | 578 | A | ||
| Corriente de recuperación | ||||||
| Erec | Recuperación inversaEnergía | 129 | mJ | |||
| Qr | Carga recuperada | VR=900 V, IF=450A, | 209 | μC | ||
| IRM | Pico inverso | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj= 150oC | 585 | A | ||
| Corriente de recuperación | ||||||
| Erec | Recuperación inversaEnergía | 150 | mJ |
Dimensiones del encapsulado
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
