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YZPST-FF600R12ME4
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
YZPST-FF600R12ME4
Módulo de potencia IGBT
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de servoaccionamiento CA y CC
UPS (sistemas de alimentación ininterrumpida)
Características
Bajo Vce(sat) con tecnología SPT+
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluye diodo FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Alta capacidad de cortocircuito (10 us)
Estructura del módulo de baja inductancia
Absoluto Máximo Clasificaciones
Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, IC =1 mA, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Corriente continua de colectornte | IC | Tc100℃ | 600 | A |
Corriente máxima de colector | ICRM | ICRM=2IC | 1200 | A |
Tensión puerta-emisor | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Total Disipación de potencia (IGBT-inversor) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 3750 | W |
Características del IGBT
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Tensión umbral puerta-emisor | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3 mA, Tvj=25℃ | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| VCE=1200 V, VGE0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Cde corte colector-emisor | ICES | VCE=1200 V, VGE0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Colector-emisor | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.7 | V | |||
| Tensión de saturación | VCE(sat) | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Capacitancia de entrada | Cies | 43.1 | nF | |||
| Capacitancia de salida | Coes | VCE=25V,VGE =0 V, | 2.25 | nF | ||
| Capacitancia de transferencia inversa | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 1.95 | nF | ||
| Compuerta interna Resistencia | Rgint | 1.25 | Ω | |||
| Encendido Tiempo de retardo | td(on) | 250 | ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC =600 A | 88 | ns | ||
| Tiempo de retardo de apagado | td(off) | VCE = 600 V | 560 | ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 131 | ns | ||
| Energía Disipación Durante el encendido Tiempo | Eon | RG = 1.2 Ω | 33.1 | mJ | ||
| Energía Disipación Durante el encendido-apagado Tiempo | Eapagado | Tvj=25℃ | 57.8 | mJ | ||
| Encendido Tiempo de retardo | td(on) | 300 | ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC =600 A | 102 | ns | ||
| Tiempo de retardo de apagado | td(off) | VCE = 600 V | 650 | ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 180 | ns | ||
| Energía Disipación Durante el encendido Tiempo | Eon | RG = 1.2 Ω | 50.2 | mJ | ||
| Energía Disipación Durante el encendido-apagado Tiempo | Eapagado | Tvj=125℃ | 87.8 | mJ | ||
| Tp≤10 μs, VGE=15 V, | ||||||
| SC Datos | Isc | Tvj=150℃, Vcc=600 V, | 2400 | A | ||
| VCEM≤1200 V | ||||||
Encapsulado Dimensiones
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
