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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-RH55N30T
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P/N: YZPST-RH55N30T
Excitación de compuerta a nivel lógico
Tecnología de proceso avanzada
Clasificación dinámica de dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175℃
Conmutación rápida
Con capacidad de avalancha total
Libre de plomo
MOSFET de potencia RF - 30 MHz
V DSS=55V
RDS(on)=0.035Ω
ID=30A
Absolutas Máximo Clasificaciones
| parámetro | Máx. | unidades | |
| ID a Tc = 25℃ | continuo drenaje corriente, VGS @ 10V | 30 | |
| ID a Tc = 100℃ | continuo drenaje corriente, VGS @ 10V | 21 | |
| A | |||
| IDM | Pulsado drenaje corriente 0① | 110 | |
| PD a Tc = 25℃ | Potencia Disipación | 68 | w |
| Lineal Factor de reducción Factor | 0.45 | con °C | |
| VGS | Puerta a fuente Voltaje | ±16 | V |
| EAS | único Energía de avalancha de pulso único Energía ② | 110 | mJ |
| IAR | Avalancha corriente① | 16 | A |
| EAR | Pico Avalancha Energía① | 6.8 | mJ |
| dv/dt | repetitivo Diodo Tiempo dv/dt ③ | 5 | V/ns |
| TJ | de operación Unión y | -55 a + 175 | |
| almacenamiento Temperatura Rango | °C | ||
| TSTG | |||
| soldadura Temperatura, para 10 segundos | 300 (1,6 mm desde la carcasa) | ||
| Par de apriete de montaje, 6-32 o M3 stornillo. | 10 lbf·in (1,1 N·m) |
Térmica Resistencia
| parámetro | Mín. | TÍP. | Máx. | unidades | |
| RθJc | Unión a carcasa | 一一一Uno | 一一一Uno | 2.2 | ℃/W |
| RθcS | de la carcasa al disipador térmico, Plano, Engrasada superficie | 一一一Uno | 0.5 | 一一一Uno | |
| RθJA | Unión a ambiente | 一一一Uno | 一一一Uno | 62 |
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