MOSFET de potencia de canal N de silicio YZPST-7N90A0 de conmutación rápida en TO-263
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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MOSFET de potencia de canal N de silicio
P/N: YZPST-7N90A0
Descripción general：
El YZPST-7N90A0, un VDMOSFET de canal N de silicio mejorado, se obtiene mediante tecnología planar autoalineada, que reduce la pérdida por conducción, mejora el rendimiento de conmutación y aumenta la energía de avalancha. Este transistor puede utilizarse en diversos circuitos de conmutación de potencia para lograr miniaturización del sistema y mayor eficiencia.El encapsulado es TO-263, conforme a la norma RoHS.
Características：
Conmutación rápida
Baja carga de compuerta y Rdson
Baja capacitancia de transferencia inversa
Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
Aplicaciones：
Circuito de conmutación de potencia para adaptadores y cargadores.
Absoluto （Tc= 25℃ salvo que se indique lo contrario）：
| Símbolo | Parámetro | Valor nominal | Unidades |
| V DSS | Drenador a- Fuente Voltaje | 900 | V |
| ID | Continuo drenaje Corriente | 7 | A |
| Continuo drenaje Corriente TC = 100 °C | 5 | A | |
| a1 | Pulsada drenaje Corriente | 28 | A |
| IDM | |||
| VGS | Compuerta a fuente Voltaje | ±30 | V |
| a2 | Simple Pulso Avalanchae Energía | 700 | mJ |
| EAS | |||
| a1 | Avalancha Energía , Repetitivove | 60 | mJ |
| EAR | |||
| a1 | Avalancha Corriente | 2.4 | A |
| IAR | |||
| dv/dt | repetitivo Diodo Tiempo dv/dt | 5 | V/ns |
| a3 | |||
| PD | Potencia Disipación | 160 | W |
| Factor de reducción Factor superior 25 °C | 1.28 | Con℃ | |
| TJ ，Tstg | Funcionamiento Unión y AlmacenamientoAlmacenamiento | 150 ，– 55 a 150 | ℃ |
| Temperatura Rango | |||
| TL | Temperatura máxima para Soldadura | 300 | ℃ |
Características eléctricascs（Tc= 25℃ salvo indicación contraria）:
| apagado Características | ||||||
| Símbolo | Parámetro | Ensayo Condiciones | Valor nominal | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| V DSS | drenaje a Fuente Ruptura | VGS =0 V, I D =250µA | 900 | -- | -- | V |
| Voltaje | ||||||
| ΔBVDSS/ ΔTJ | Bvdss Temperatura Coeficiente | ID=250uA, Referencia25℃ | -- | 0.8 | -- | V/℃ |
| VHoja de datos = 900V, VGS = 0V, | -- | -- | 1 | |||
| IDSS | drenaje a Fuente Fuga Corriente | Ta = 25℃ | µ A | |||
| VHoja de datos =720V, VGS = 0V, | -- | -- | 250 | |||
| Ta = 125℃ | ||||||
| IGSS( F) | Puerta a Fuente Directa Fuga | VGS = +30V | -- | -- | 10 | µ A |
| IGSS(R ) | Puerta a Fuente Recuperación inversa Fuga | VGS =- 30V | -- | -- | -10 | µ A |
| Encendido Características | ||||||
| Símbolo | Parámetro | Ensayo Condiciones | Valor nominal | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| RDS(ON) | Drenador-fuente encendido- Resistencia | VGS =10V, I D =3.0A | -- | 1.4 | 1.8 | Ω |
| VGS(TH ) | Umbral de puerta Voltaje | VHoja de datos = VGS, I D = 250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
| Pulso ancho tp ≤380µs,δ≤2% | ||||||
| Dinámica Características | ||||||
| Símbolo | Parámetro | Ensayo Condiciones | Valor nominal | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| gfs | Directa Transconductanciace | VHoja de datos = 15V, I D =3A | -- | 8 | -- | S |
| Ciss | Entrada Capacitancia | -- | 1460 | -- | ||
| Coss | Salida Capacitancia | VGS = 0V VHoja de datos = 25V | -- | 130 | -- | pF |
| Crss | Recuperación inversa Transferencia Capacitancia | f = 1.0MHz | -- | 23 | -- | |
| Resistiva Conmutación Características | ||||||
| Símbolo | Parámetro | Ensayo Condiciones | Valor nominal | Unidades | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| td(ON) | Encendido Tiempo de retardo | -- | 22 | -- | ||
| tr | Ascenso Tiempo | I D =7.0A V DD = 450V | -- | 45 | -- | |
| td(APAGADO ) | Apagado Tiempo de retardo | VGS = 10V RG = 9.1Ω | -- | 33 | -- | ns |
| tf | Caída Tiempo | -- | 37 | -- | ||
| Qg | Total Puerta Carga | -- | 37 | -- | ||
| Qgs | Puerta a Fuente Carga | I D =7 . 0A V DD =450V | -- | 8 | -- | nC |
| Qgd | Puerta a drenaje (“ Miller ”)Carga | VGS = 10V | -- | 14 | -- | |
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