







YZPST-2SB888
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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Transistores encapsulados en plástico TO-92
P/N: YZPST-2SB888
Transistor Darlington de silicio epitaxial planar PNP
Aplicaciones
Controladores de motores, controladores de martillo para impresoras, controladores de relés, control de reguladores de voltaje.
Características
Alta ganancia de corriente continua (5000 o más).
Gran capacidad de corriente y amplia ASO.
Baja tensión de saturación: VCE(sat)=–0,8 V típ.
Absoluto Máximo Clasificaciones a Ta = 25˚C

Símbolo | Parámetro | Condiciones | Clasificaciones | Unidad |
VCBO | Tensión colector-basebloqueo |
| –80 | V |
V CEO | Tensión colector-emisorbloqueo |
| –50 | V |
VEBO | Tensión emisor-base |
| –10 | V |
IC | Corriente de colector |
| –0.7 | A |
ICP | Corriente de colector (Pulso) |
| –2 | A |
PCB | Admisible Colector Disipación |
| 600 | mW |
Tj | Unión Temperatura |
| 150 | ˚C |
Tstg | Temperatura de almacenamiento |
| –55 a +150 | ˚C |
Eléctricas Características a Ta = 25˚C
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Clasificaciones | Unidad | ||
mín. | típ. | máx. | ||||
ICBO | Corriente de corte del colector Corriente | V CB=–40V, IE=0 |
|
| –0.1 | µA |
IEBO | Corte del emisor Corriente | VEB=–8V, IC=0 |
|
| –0.1 | µA |
h FE1 | CC Corriente Ganancia | VCE=–2V, IC=–50mA | 5000 |
|
|
|
h FE2 | VCE=–2V, IC=–500mA | 3000 |
|
|
| |
fT | Ancho de banda de ganancia Producto | VCE=–5V, IC=–50mA |
| 170 |
| MHz |
Cob | Salida Capacitancia | V CB=–10V, f=1MHz |
| 16 |
| pF |
VCE(sat) | Tensión de saturación colector-emisor | IC=–100mA, IB=–0.1mA |
| –0.8 | –1.2 | V |
V BE(sat) | Tensión de saturación base-emisorbloqueo | IC=–100mA, IB=–0.1mA |
| –1.3 | –2.0 | V |
V(BR)CBO | Colector a base RupturaRuptura de tensión | IC=–10µA, IE=0 | –80 |
|
| V |
V(BR)CEO | Colector a emisor RupturaRuptura de tensión | IC=–1mA, R BE=∞ | –50 |
|
| V |
V(BR)EBO | Emisor a base Tensión de ruptura | IE=–10µA, IC=0 | –10 |
|
| V |
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