YZPST-R03N120TP
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
P/N: YZPST-R03N120TP
MOSFET planar de 1200 V N-ch
Características generales
Conforme a RoHS
RDS(ON), típico=6Ω a VGS=10V
La baja carga de puerta minimiza las pérdidas de conmutación
Diodo corporal de recuperación rápida
Aplicaciones
Adaptador
cargador
Alimentación en espera para SMPS
Encapsulado y acabado libres de plomo
BVDSS | RDS(ON), típico | ID |
1200V | 6Ω | 3,0 A |
Absoluto Máximo ClasificacionesTC=25℃ salvo que se especifique lo contrario
Símbolo | Parámetro | R03N120TP | Unidad |
VDSS | Tensión drenaje-fuente | 1200 |
V |
VGSS | Tensión puerta-fuente | ±30 | |
ID | Drenaje continuo Corriente | 3.0 |
A |
IDM | Corriente de drenaje pulsada a VGS=10V | 12 | |
EAS | Simple Avalancha pulsada Energía | 100 | mJ |
dv/dt | repetitivo Diodo dv/dt de recuperación[3] | 5.0 | V/ns |
PD | Disipación de potencia | 75 | W |
Factor de reducción Factor superior a 25℃ | 0.6 | Con℃ | |
TL | Temperatura de soldadura Distancia de 1,6 mm de la carcasa durante 10 segundos | 300 |
℃ |
TJ& TSTG | Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamientorango de temperatura | -55 a 150 |
Precaución: Las tensiones superiores a las indicadas en las “Clasificaciones máximas absolutas”pueden causar daños permanentes puede causar daños permanentes a al dispositivo.
Características térmicas
Símbolo | Parámetro | R03N120TP | Unidad |
RθJC | Térmica Resistencia, Unión a carcasa | 1.67 |
℃/W |
RθJA | Térmica Resistencia, unión-junción a ambiente | 62 |
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
