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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-SK70KQ12
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Teléfono+86 138 0527 8321
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
CENTRO DE DOCUMENTACIÓN
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YZPST-SK70KQ12
CARACTERÍSTICAS DEL PRODUCTO
Diseño compacto
Montaje con un solo tornillo
Transferencia térmica y aislamiento mediante DBC
Tiristores con pasivación de vidrio
Baja corriente de fuga
APLICACIONES
Arrancadores suaves
Control de temperatura
Control de iluminación
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES(T C =25°C salvo indicación contraria)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Valores | Unidad |
| VRRM | Tensión inversa repetitiva máximaTensión inversa máxima | Tvj=125℃ | 1200 | V |
| VDRM | Máximorepetitiva tensión máxima en estado de bloqueo | |||
| VRSM | No-Pico de tensión inversa | Tvj=125℃ | V | |
| VDSM | No repetitivo tensión máxima en estado de bloqueo | 1300 | ||
| IRRM | Máxima repetitiva Corriente inversa | Tvj=125℃ | 5 | mA |
| IDRM | Máximorepetitiva corriente de estado de bloqueo pico | |||
| IT(AV) | Corriente media en estado de conducción Corriente | TC=85℃ | 55 | |
| IT(RMS) | Eficaz Corriente | TC=85℃, sin180。 | 80 | A |
| ITSM | No Sobretensión repetitiva Corriente pico en estado de conducción | 10 ms, Tj=25℃ | 1100 | |
| I2t | Para fusibles | 10 ms, Tj=25℃ | 6050 | A2S |
| VTM | Tensión máxima en conducción | ITM=150A | 1.7 | V |
| dv/dt | tasa crítica de aumento en estado de bloqueo voltaje | VD=2/3VDRM Tiempo de apertura de la compuertaj=125℃ | 1000 | V/µs |
| IGT | corriente de disparo de compuerta máx. | 80 | mA | |
| VGT | tensión de disparo de compuerta máx. | 1.5 | V | |
| IH | corriente de disparo de compuerta | 200 | mA | |
| IL | corriente de enclavamiento | 500 | mA | |
| Viso | CA 50 Hz RMS 1 min | 2500 | V | |
| TJ | Temperatura de unión | -40 hasta +125 | ℃ | |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -40 hasta +125 | ||
| RthJC | Resistencia térmica de unión a carcasa Resistencia (por tiristor chip) | 0.7 | ℃ /W | |
| Par de apriete | fuerza de montaje, Módulo al disipador | 2.5 | Nm | |
| Tsoldadura | Terminales, 10 s | 260 | ℃ | |
Dimensiones
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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