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YZPST-2N3904
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Transistores encapsulados en plástico TO-92
YZPST-2N3904 TRANSISTOR (NPN)
CARACTERÍSTICAS
Transistor planar epitaxial de silicio NPN para conmutación y
aplicaciones de amplificación
Como tipo complementario, el transistor PNP 2N3906 es
Recomendado
Este transistor también está disponible en encapsulado SOT-23 con
la designación de tipo MMBT3904
INFORMACIÓN PARA PEDIDOS
Parte Número | Encapsuladoe | Embalaje Método | Paquete Cantidad |
2N3904 | T0-92 | A granel | 1000 piezas/bolsa |
2N3904-TA | T0-92 | Cinta | 2000 piezas/caja |
VALORES MÁXIMOS (Ta=25'℃ salvo que se indique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCB0 | Tensión colector-base | 60 | V |
| VCE0 | Tensión colector-emisor | 40 | V |
| VEB0 | Tensión emisor-base | 6 | V |
| C | Corriente continua de colector | 0.2 | A |
| PCB | Disipación de potencia del colector | 0.625 | W |
| TJ,Tstg | Rango de temperatura de funcionamiento de la unión y de almacenamiento | -205 | C |
=25℃ salvo que se especifique lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Ensayo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| condiciones | ||||||
| Colector-base | V(BR)CBO | IC=10ΚA, IE=0 | 60 | V | ||
| ruptura | ||||||
| tensión | ||||||
| Colector-emisor | V(BR)CEO | IC= 1mA , IB=0 | 40 | V | ||
| ruptura | ||||||
| tensión | ||||||
| Emisor-base | V(BR)EBO | IE= 10ΚA, IC=0 | 6 | V | ||
| ruptura | ||||||
| tensión | ||||||
| Corte del colector | ICBO | VCB=60V, IE=0 | 0.1 | UA | ||
| current | ||||||
| Colector | ICEX | VCE=30V, VEB(off)=3V | 0.05 | UA | ||
| corte | ||||||
| current | ||||||
| Emisor | IEBO | VEB= 5V, IC=0 | 0.1 | UA | ||
| corte | ||||||
| current | ||||||
| FE1 | VCE=1V, IC=10mA | 100 | 400 | |||
| CC | ||||||
| current | FE2 | VCE=1V, IC=50mA | 60 | |||
| de corriente continua | FE3 | VCE=1V, IC=100mA | 30 | |||
| Colector-emisor | VCE(sat) | IC=50mA, IB=5mA | 0.3 | V | ||
| saturación | ||||||
| tensión | ||||||
| Base-emisor | VBE(sat) | IC=50mA, IB=5mA | 0.95 | V | ||
| saturación | ||||||
| tensión | ||||||
| Transición | T | VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz | 300 | MHZ | ||
| frecuencia | ||||||
| De1ay | td | VCC=3V,VBE=0.5V, | 35 | ns | ||
| Tiempo | IC=10mA,IB1=1mA | |||||
| Ascenso | tr | 35 | ns | |||
| Tiempo | ||||||
| Almacenamiento | ts | VCC=3V, IC=10mA | 200 | ns | ||
| Tiempo | IB1=IB2=1mA | |||||
| Fa11 | tf | 50 | ns | |||
| Tiempo |
ContornoDimensiones
| Símbolo | Dimensiones | Dimensiones | ||
| n | ln | |||
| Milímetros | Pulgadas | |||
| Mín. | Máx. | Mín. | Máx. | |
| A | 3.3 | 3.7 | 0.13 | 0.146 |
| A1 | 1.1 | 1.4 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.38 | 0.55 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.36 | 0.51 | 0.014 | 0.02 |
| D | 4.3 | 4.7 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.43 | 0.135 | ||
| E | 4.3 | 4.7 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TÍP. | 0.050 TÍP. | ||
| e1 | 2.44 | 2.64 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.1 | 14.5 | 0.555 | 0.571 |
| Κ | 1.6 | 0.063 | ||
| h | 0 | 0.38 | 0 | 0.015 |
Para obtener más información sobreYZPST-2N3904descargue el archivo PDF anterior llamado “YZPST-2N3904 TO92"
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
