YZPST-BD140-16
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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TRANSISTOR DE SILICIO PNP
YZPST-BD140-16
El BD140-16 en encapsulado TO-126 es un transistor PNP planar epitaxial de silicio; los tipos NPN complementarios son los BD139-16
DESCRIPCIÓN
El BD140-16 es un transistor PNP planar epitaxial de silicio
en encapsulado plástico JEDEC TO-126, diseñado para audio
amplificadores y controladores que utilizan circuitos complementarios o cuasi
complementarios.
Los tipos NPN complementarios son los BD139-16
VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS ( Ta = 25 OC)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Tensión colector-base | VCBO | -80 | V |
Tensión colector-emisor | VCEO | -80 | V |
Tensión emisor-base | VEBO | -5.0 | V |
Corriente de colector | IC | -1.5 | A |
Corriente de base | IB | -0.5 | A |
Disipación total a | Ptot | 12.5 | W |
Temperatura máxima de unión de funcionamiento | Tj | 150 | °C |
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~150 | °C |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS ( Ta = 25 OC)
| Parámetro | Símbolo | Ensayo Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| Colector Corte-apagado Corriente | ICBO | VCB = -80V, IE = 0 | -10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Corriente de corte emisornte | IEBO | |||||
| VEB = -5.0V, IC = 0 | -10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Tensión de mantenimiento colector-emisorage | IC = -1.0mA, IB = 0 | -80 | — | — | V | |
| VCE = -2.0V, IC = -0.15A | 100 | 250 | ||||
| Corriente continua Ganancia | hFE | |||||
| VCE = -2.0V, IC = -0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Saturación colector-emisorVoltaje | IC = -0.5A, IB = -0.05A | -0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Tensión base-emisor | IC = -0,5 A, VCE = -2.0 V | -1 | V | |||
| fT | ||||||
| Transición Frecuencia | VCE = -5,0 V, IC = -50 mA | 80 | MHz |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
