YZPST-BTA12-800BW
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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YZPST-BTA12-800BW
Estructura de mesa simple BTA12-800BW triac de 800 V TO-220A
●Características del producto
Estructura de mesa simple (Single Mesa),
Proceso de pasivación con vidrio en la superficie,
Estabilidad de tensión
Alta capacidad de resistencia a picos de corriente
Modelo aplicable: BTA12
Aplicación principal
Lavadoras, alisadores de cabello
Relé de estado sólido, control de velocidad de motores de CA
●Encapsulado
TO-220A
Características principales (Tj=25℃)
Símbolo | Valor | Unidad |
IT (RMS) | 12 | A |
VDRM / VRRM | 600/800 | V |
VTM | 1.55 | V |
Valores absolutos (valores límite)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
ITSM | Pico de corriente no repetitiva en estado ON Corriente (tp=10 ms) | 115 | A |
I2t | (tp=10 ms) | 70 | A2S |
dI/dt | IG=2IGT , tr≤100 ns, Tj=125 ℃ | 50 | A/ μs |
IGM | Corriente pico de compuerta (tp=20 us) | 4 | A |
PG(AV) | Potencia media de compuerta | 1 | W |
Tstg Tj | Temperatura de almacenamiento Temperatura de unión de funcionamiento | -40--+150 -40--+125 | ℃ |
Resistencias térmicas
| Símbolo | ||||
| Parámetro | Valor | Unidad | ||
| TO-220A | 2.3 | |||
| Rth (j-c) | Unión a encapsulado | TO-220B/TO-220C | 1.4 | ℃/W |
| TO-220F | 3.9 |
Características eléctricas (Tj=25℃ salvo que se indique lo contrario)
| Símbolo | Condiciones de prueba | Valor | Unidad | ||||||
| TW | SW | CW | BW | C | B | ||||
| IGT | VD=12 V, RL=30Ω | ⅠⅡⅢ | ≤5 | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | mA |
| Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤50 | ≤100 | |||
| IDRM | VD=VDRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||||||
| IRRM | VD=VRRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||||||
| ⅠⅢ | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤70 | ≤40 | ≤50 | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤40 | ≤50 | mA |
| Ⅱ | ≤15 | ≤30 | ≤60 | ≤80 | ≤80 | ≤100 | |||
| VGT | VD=12V ,RL=30Ω | ≤1.3 | V | ||||||
| VGD | VD=VDRM, Tj=125℃RL=3,3 kΩ | ≥0.2 | V | ||||||
| VTM | ITM=17A,tp=380 μs | 1.55 | V | ||||||
| IH | VD12V ，IT=200mA | ≤20 | ≤25 | ≤35 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | mA | |
| dV/dt | VD67%VDRM, | ≥40 | ≥ | ≥ | ≥ 1000 | ≥ | ≥400 | v/ μs | |
| GateOpen, Tj=125 ℃ | 100 | 400 | 200 | ||||||
Medida de encapsulado
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
