YZPST-Serie KP-KP55

Símbolo

Característica

Condiciones

Temperatura

Valor

1

VDRM

Tensión pico repetitiva en estado de bloqueo

-30°C£ Tj £125°C

1600

2

VDSM

Tensión pico no repetitiva en estado de bloqueo

-30°C£ Tj £125°C

1700

3

VRRM

Tensión inversa de pico repetitiva

-30°C£ Tj £125°C

1600

4

VRSM

Tensión inversa de pico no repetitiva

-30°C£ Tj £125°C

1700

5

IDRM

Corriente repetitiva de pico en estado de bloqueo

V=VDRM

Tj = 125°C

≤ 70 mA

6

IRRM

Corriente inversa máxima repetitiva

V=VRRM

Tj = 125°C

≤ 70 mA

7

ITSM

Corriente de sobretensión de pico (no repetitiva)

Onda sinusoidal, 10 ms sin tensión inversa

Tj = 125°C

36.0 kA

8

VTO

Tensión umbral

Tj = 125°C

0.82V

9

Rt

Resistencia de pendiente en estado de conducción

Tj = 125°C

0.180 mohm

10

VT

Tensión en estado de conducción

IT = 2500 A

Tj = 125°C

≤ 1.45V

11

VT

Tensión en estado de conducción

IT = 3500 A

Tj = 125°C

≤ 1.65V

12

DI/DT

Tasa crítica de incremento de la corriente en estado de conducción, mín.

Tj = 125°C

200 A / μ s

13

DV/DT

Tasa crítica de incremento de la tensión en estado de bloqueo, mín.

Tj = 125°C

500 V / μ s

14

IH

Corriente de mantenimiento, típica

Tj = 25°C

≤ 300 mA

15

IL

Corriente de enganche, típica

Tj = 25°C

≤ 700 mA

16

VGT

Tensión de disparo de compuerta

VD= 5V;

Tj = 25°C

≤ 3,0 V

17

IGT

Corriente de disparo de compuerta

VD= 5V;

Tj = 25°C

≤ 200 mA

18

VGD

Tensión de disparo de puerta, mín.

VD= VDRM

Tj = 125°C

≥ 0,25 V

19

PGM

Disipación máxima de potencia de puerta

Tj = 25°C

150 W

20

VFGM

Tensión máxima de puerta (directa)

Tj = 25°C

30 V

21

IFGM

Corriente máxima de puerta

Tj = 25°C

10 A

22

VRGM

Tensión máxima de puerta (inversa)

Tj = 25°C

5 V

Ф A

Diámetro del chip

55 mm

Ф B

45~46 mm

Ф C

Área interna de contacto del emisor = arandela de molibdeno interna

8,5~8,6 mm

D

Espesor del chip

2,4~2,7 mm

E

Espesor máximo del caucho de recubrimiento de la unión

0,2~0,4 mm