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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-SK45UT16
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Módulo tiristor antiparalelo
P/N:YZPST-SK45UT
Características
•Diseño compacto
•Montaje con un solo tornillo
•Transferencia de calor y aislamiento mediante sustrato de cobre adherido directamente a cerámica de óxido de aluminio (DBC)
•Chips de tiristor pasivados con vidrio
•Hasta 1600 V de tensión inversa
Aplicaciones típicas
•Arrancadores suaves
•Control de iluminación (estudios, teatros...)
•Control de temperatura
Diseño compacto del módulo tiristor antiparalelo SK45UT
| Vrsm | Vrrw Vdrm | lEficaz = 47 A (conducción total) |
| V | V | (Ts = 85 °C) |
| 900 | 800 | SK 45 UT 08 |
| 1300 | 1200 | SK45 UT12 |
| 1700 | 1600 | SK45 UT16 |
| Símbolo | Condiciones | Valores | Unidades |
| Irms | W1C : seno. 180°: Ts100oC | 33 | A |
| W1C;seno.180o;Ts = 85oC | 47 | A | |
| Itsm | Tvj = 25 oC;10ms | 450 | A |
| i2t | Tvj = 125oC;10ms | 380 | A |
| T/25 oC;8,3...10ms | 1000 | A2s | |
| Tvj = 125oC;8,3...10ms | 720 | A2s | |
| Vt | T/25 °C, lT = 75A | max. 1,9 | V |
| Vt(to) | Tvj = 125oC | max. 1 | V mQ mA |
| rT | Tvj = 125oC | max. 10 | |
| IRD | T/125°C, VRD=VRRM | max. 10 | |
| IrD | |||
| tgd | Tvj = 25 OC, lG = 1A; diG/dt= 1 A/ps | 1 | MS |
| Vd = 0,67*Vdrm | 2 | MS | |
| (dv/dt)cr | Tvj = 125oC | 1000 | V/ps |
| (di/dt)cr tq lH | Tvj = 125oC; f= 50...60 Hz | 50 | A/ps |
| II | Tvj = 125 °C; typ. | 80 | MS mA mA |
| TVj = 25 °C; typ. / max. | 80/150 | ||
| TVj = 25 °C;Rg 33Q; típ. / máx. | 150/300 | ||
| Vgt | 歸二25 °C; c.c.歸二25 °C; c.c. | mín. 3 mín. 100 máx. 0,25 | V mA |
| IGT | Tvj = 125oC;c.c. | máx. 3 | V mA |
| Vgd | Tvj = 125oC;c.c. | ||
| Igd | |||
| Khfj-s) | cont. por tiristor sen 180° por tiristor cont. por WIC sen 180° por WIC | 1,2 | K/W |
| Khfj-s) | terminales, 10 s | 1,24 | K/W |
| L | 0,6 | K/W | |
| Tstg | 0,62 | K/W | |
| ^soldadura | -40...+125 | °C | |
| -40...+125 | °C | ||
| 260 | °C | ||
| Vis。］ | c.a. 50 Hz; valor eficaz; 1 s/1 min. Par de montaje al disipador | 3000/2500 | V~ |
| Ms | 2,5 | Nm | |
| Mt | 30 | Nm m/s2 | |
| a | g | ||
| m | |||
| Encapsulado | T13 |
Dimensiones
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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