.jpg)

.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)

.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-S4050
El resumen del producto y la información técnica principal se cargarán desde la base de datos de productos.
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N: YZPST-S4050 SCR de 40 A
CARACTERÍSTICAS
Alto rendimiento frente al ciclado térmico
Alta capacidad de tensión
Capacidad de pico de corriente muy alta
APLICACIONES
Rectificación de línea 50/60 Hz
Control de arranque suave para motor CA
Control de motor CC
Convertidor de potencia
Control de potencia CA
Control de iluminación y temperatura

MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES | |||
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Rango de temperatura de almacenamiento de la unión | Tstg | -40 ~ 150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~ 125 | ℃ |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo | VDRM | 1600 | V |
Tensión inversa máxima repetitiva | VRRM | 1600 | V |
Tensión máxima de apagado en sobretensión no repetitiva | VDSM | VDRM +100 | V |
Tensión inversa máxima no repetitiva | VRSM | VRRM +100 | V |
Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción | ITSM | 420 | A |
Corriente eficaz en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°°ángulo de conducción) | IT(RMS) | 40 | A |
Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°) | IT(AV) | 25 | A |
Valor I2t para fusible (tp=10 ms) | I2t | 880 | A2 S |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (I = 2×IGT, tr ≤ 100 ns) | di/dt | 150 | A/μS |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 4 | A |
Potencia de pico de compuerta | PGM | 5 | W |
| Resistencias térmicas | ||||
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
| TO-220A | 1.2 | |||
| Rth(j-c) | Unión a encapsulado (CC) | TO-220C | 0.8 | ℃/W |
| TO-220F | 0.85 | |||
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T=25℃ salvo que se especifique lo contrario) | ||||
Símbolo | Condición de prueba |
| Valor | Unidad |
IGT | V = 12 V R = 140Ω | MÁX. | 50 | mA |
VGT | MÁX. | 1.5 | V | |
VGD | VD=VDRM Tj= 125℃ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG= 1.2IGT | MÁX. | 200 | mA |
IH | IT=50mA | MÁX. | 100 | mA |
dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | MÍN. | 1000 | V/μs |
Datos mecánicos del encapsulado TO-220F

Productos relacionados
Desde un número de pieza hasta un requisito energético completo.

Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
Envíenos el número de pieza, el objetivo eléctrico y el contexto de la aplicación.
Contactar con YZPST →© 2026 YZPST. Todos los derechos reservados.
Utilizamos cookies necesarias para que este sitio web funcione. Con su permiso, las cookies analíticas nos ayudan a entender el uso del sitio. Lea nuestra Política de cookies.






.jpg)