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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-ZPK20A-1800V
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Diodo de recuperación rápida STUD
Tipo: YZPST-ZPK20A/1800V
Conducción directa
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
| Pico repetitivo tensión inversa | VRRM | 1800 | V | Tc=125oC | ||
| No repetitivo pico inversa voltaje | VRSM | 1900 | V | Tc=125oC | ||
| Corriente directa media máx. | IF(AV) | 20 | A | Onda sinusoidal, 180o | ||
| conducción, Tc=120oC | ||||||
| Máx. Corriente directa RMS | IF(Eficaz) | 38 | A | Valor nominal | ||
| Máx. pico, de un ciclo, en directa, corriente de sobrecarga no repetitiva | IFSM | 240 | A | 10,0 ms (50 Hz), media onda senoidal, Tj = Tj MAX | ||
| Máximo I2tfor fusión | I2t | 400 | A2s | |||
| Caída máx. de tensión en directa | VF | 1.95 | V | IF = 60A; Tj = 25oC | ||
| Tensión de umbral | VF0 | 1.08 | V | Tj = Tj MAX | ||
| Pendiente resistencia | rt | 6.33 | mΩ | Tj = Tj MAX |
Especificaciones térmicas y mecánicasespecíficas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
| Corriente de fuga inversa pico repetitiva de fuga and estado de bloqueo | IRRM | 10 | mA | |||
| Temperatura de funcionamiento | Tj | -40 | 125 | oC | ||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 150 | oC | ||
| Máximo Recuperación inversa Tiempo de recuperación | Trr | 1500 | ns | IF=70A,tp=170us | ||
| Carga de recuperación inversa de carga | Qrr | - | μc | |||
| Resistencia térmica - unión a case | RΘ (j-c) | 0.6 | - | K/W | ||
| Térmica resistencia - carcasa a disipador | RΘ (c-s) | 0.25 | - | oC/W | ||
| Fuerza de montaje | P | 2.2 | Nm | ± 20% | ||
| Peso | W | - | - | - | g | Acerca de |
| Estilo de la carcasa | - | Ver esquema Tabla |
CONTORNO DE LA CARCASA Y DIMENSIONES：
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