YZPST-800DDM17

Módulo IGBT de doble interruptor

P/N:YZPST-800DDM17

PARÁMETROS CLAVE

VCES :1700 V

VCE(sat)* (typ): 2.7 V

IC (máx.): 800 A

IC(PK) (máx.): 1600 V

CARACTERÍSTICAS

• Soporta cortocircuito de 10 µs
• Alta capacidad de ciclado térmico
• Silicio sin perforación
• Base aislada de AlSiC con sustratos de AlN
• Construcción libre de plomo

APLICACIONES

• Inversores de alta fiabilidad
• Controladores de motor
• Accionamientos de tracción

La gama Powerline de módulos de alta potencia incluye configuraciones de medio puente, chopper, dual, single y conmutación bidireccional, con tensiones de 1200 V a 6500 V y corrientes de hasta 2400 A.

El 800DDM17 es un módulo IGBT de doble interruptor de 1700 V, de canal N, en modo de enriquecimiento y con compuerta aislada

transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT).El IGBT cuenta con una amplia zona de operación segura en polarización inversa (RBSOA), además de soportar 10 μs de cortocircuito.Este dispositivo está optimizado para accionamientos de tracción y otras aplicaciones que requieren una alta capacidad de ciclado térmico.

El módulo incorpora una placa base eléctricamente aislada y una construcción de baja inductancia, lo que permite a los diseñadores optimizar el trazado del circuito y utilizar disipadores conectados a tierra por seguridad.

VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS

Las tensiones superiores a las indicadas en ‘Valores máximos absolutos’ pueden causar daños permanentes al dispositivo.En condiciones extremas, como en todos los semiconductores, esto puede incluir la rotura potencialmente peligrosa del encapsulado.Siempre deben seguirse las medidas de seguridad adecuadas.La exposición a los valores máximos absolutos puede afectar la fiabilidad del dispositivo.

Tcase = 25 °C salvo que se indique lo contrario

ENCAPSULADO DETALLES

Todas las dimensiones en mm, salvo que se indique lo contrario.

NO ESCALAR.