YZPST-SK70KQ08

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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.

CENTRO DE DOCUMENTACIÓN

YZPST-SK70KQ08

Módulo tiristor de 70 A y 800 V

Conforme a RoHS

PRODUCTO CARACTERÍSTICASS

Diseño compacto

Montaje con un solo tornillo

Transferencia térmica y aislamiento mediante DBC

Chips de tiristor con pasivación de vidrio

Baja corriente de fuga

APPLICATIEncendidoS

Arrancadores suaves

Control de temperatura

Control de iluminación

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T C =25°C salvo que se especifique lo contrario)

Símbolo	PParámetro	TPrueba Condiciones	Valores	Unit
VRRM	Máx.máximo Pico Recuperación inversa Voltaje	Tvj=125℃	800	V
VDRM	Máx.imo repetitiva pico en estado de bloqueo voltaje	Tvj=125℃	800	V
VRSM	No-Pico Recuperación inversa Voltaje	Tvj=125℃		V
VDSM	Non repetitivo pico en estado de bloqueo voltaje	Tvj=125℃	900	V
IRRM	Máx.imo Pico Recuperación inversa Corriente	Tvj=125℃	5	mA
IDRM	Maximum repetitiva pico en estado de bloqueo Corriente	Tvj=125℃	5	mA
IT(AV)	Promedio Oestado n Corriente	TC=85℃	55
IT(RMS)	RMS Cobrede	TC=85℃, sin180°	80	A
ITSM	No Rrepetitivo Sobretensión repetitivo Corriente Corriente	10 ms, Tj=25℃	1100
I2t	Para Fusar	10 ms, Tj=25℃	6050	A2S
VTM	Pico en estado de conducción voltaje	ITM=150A	1.7	V
dv/dt	crítico de de subida de en estado de bloqueo voltaje	VD =2/3VDRM Tiempo de apertura de la compuertaj=125℃	1000	V/us
IGT	corriente de disparo de compuertat máx.		80	mA
VGT	tensión de disparo de compuerta máx.		1.5	V
IH	compuerta disparo current		200	mA
IL	lattación current		500	mA
Viso	AC 50Hz RMS 1men		2500	V
TJ	Temperatura de unión		-40 a +125	℃
TSTG	Almacenamientoalmacenamiento Temperatura Rango		-40 a +125	℃
RthJC	Unión a Encapsulado Térmica Resistencia (por chip de tiristor)		0.7	℃ /W
Par deor	montaje fuerza, Módulo al disipador		2.5	Nm
Tsolder	Teminales,10s		260	℃