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YZPST-ESB150NH40SN
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Descargas y archivos técnicos
Silicio de recuperación ultrarrápida Módulo de diodo de recuperación
TIPO:YZPST-ESB150NH40SN
Características
- Alta capacidad de sobretensión
- Tipos de 50 V a600 V VRRM
- No sensible a ESD

Símbolo | Condición | Clasificaciones | Unidad |
IF(AV)M | TC=100°C; senoidal de 180° | 150 | A |
IFRMS | valor máximo para funcionamiento continuo |
| A |
IFSM | Tj=25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); seno | 2100 | A |
I2t | Tj=25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); seno | 1830 | kA2S |
Viso | C.A. 1 minuto/1 segundo | - | V |
Tj |
| -40 ~ + 175 | °C |
Tstg |
| -40 ~ + 150 | °C |
M | par de apriete de montaje; ±15% | 4 | Nm |
par de apriete de los terminales; ±15% | 3 | Nm | |
W | aprox. | 95 | g |
IRRM | A VRRM,Monofásico,media onda,Tj=100°C | 1 | mA |
VFM | Corriente en conducción 150A,Tj=25°C | 1.40 | V |
VF0 | Tj=150°C | - | V |
rF | Tj=150°C | - | mΩ |
trr | Tj=25°C; IF = 150A; -diF/dt =300A/μs; VR = 200V; | 120 | ns |
Qrr | Tj=150°C; IF = 50A; -diF/dt = 100A/μs; VR = 100V | - | us |
IRM | - | A | |
Rth(j-c) | Por módulo | 0.12 | °C/W |
Rth(c-h) | Por módulo | - | °C/W |
Dibujo esquemático

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