YZPST-ESB150NH40SN
Silicon Super Fast Recovery Diode Module
TIPO:YZPST-ESB150NH40SN
Características
- Alta capacidad de sobretensión
- Tipos desde 50 V hasta600 V VRRM
- No sensible a ESD
Silicio Súper Rápido Módulo de Diodo de Recuperación
TIPO: YZPST- ESB150NH40SN
Características
- Alta Capacidad de Sobretensión
- Tipos desde 50 V hasta 6 00 V V RRM
- No es sensible a ESD
|
Símbolo |
Condición |
Clasificaciones |
Unidad |
|
Yo F(AV)M |
T C =1 0 0°C; 180° seno |
150 |
A |
|
Yo FRMS |
valor máximo para operación continua |
|
A |
|
Yo FSM |
T j =25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); seno |
21 00 |
A |
|
Yo 2 t |
T j =25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); seno |
1830 |
kA 2 S |
|
V iso |
A.C.1minute/1second |
- |
V |
|
T j |
|
- 40 + 1 75 |
°C |
|
T stg |
|
- 40 + 150 |
°C |
|
M |
par de apriete de montaje; \u00b115% |
4 |
Nm |
|
par de apriete terminal; \u00b115% |
3 |
Nm |
|
|
W |
aprox. |
95 |
g |
|
Yo RRM |
AtV RRM uff0c Fase única uff0c media onda uff0c T j =1 00 °C |
1 |
mA |
|
V FM |
Corriente de estado activo 150 A uff0c T j =25°C |
1. 40 |
V |
|
V F0 |
T j =150°C |
- |
V |
|
r F |
T j =150°C |
- |
mΩ |
|
t rr |
T j =25°C; I F = 150 A; -di F /dt = 300 A/ V R = 200 V; |
120 |
ns |
|
Q rr |
T j =150°C; I F = 50A; -di F /dt = 100A/ V R = 100V |
- |
nosotros |
|
Yo RM |
- |
A |
|
|
R th(j-c) |
Por Módulo |
0. 12 |
°C/W |
|
R th(c-h) |
Por Módulo |
- |
°C/W |
Dibujo de Contorno