IMAGEN DEL PRODUCTO01 / GALERÍA
COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-RM016120T
✓Información técnica del producto✓Asesoramiento de selección orientado a la aplicación✓Consulta basada en catálogo y requisitos
Correo electrónicoinfo@yzpst.net
Teléfono+86 138 0527 8321
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
CENTRO DE DOCUMENTACIÓN
Descargas y archivos técnicos
P/N:YZPST-RM016120T MOSFET de SiC
Características
Amplia banda prohibida MOSFET de SiC tecnología
Baja resistencia en conducción con alta tensión de bloqueo
Bajas capacitancias con conmutación de alta velocidad
Baja recuperación inversa (Qrr)
Halógeno libre, compatible con RoHS
Ventajas
Reducir pérdidas de conmutación
Aumento del sistema Frecuencia de conmutación
Mayor densidad de potencia
Reducción de disipador de calor requisitos
Aplicaciones
fuentes de alimentación conmutadas
energías renovables
a bordo cargador
convertidores CC/CC de alto voltaje
Definiciones de pines del encapsulado
Pin 1 - Compuerta
Pin 2 - Drenador
Pin 3 - Fuente de alimentación
Encapsulado Dimensiones
No hay contenido adicional del producto disponible.
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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