transistores de potencia de silicio complementarios 2N3055/MJ2955
DESCRIPCIÓN
El 2N3055 es un transistor NPN de silicio epitaxial-base planar montado en un estuche metálico TO-3 de Jedec.
Está destinado a circuitos de conmutación de potencia, reguladores en serie y derivación, etapas de salida y amplificadores de alta fidelidad.
El tipo PNP complementario es el MJ2955.
A B S O L U T E M A X I M U M R A T I N G S ( T a = 2 5 O C)
|
Parámetro |
l |
Valor |
Unidad |
|
Voltaje Colector-Base |
V CBO |
100 |
V |
|
Voltaje Colector-Emisor |
V CEO |
60 |
V |
|
Voltaje Emisor-Base |
V EBO |
7 |
V |
|
Corriente del Colector |
I C |
15 |
A |
|
Corriente de Base |
I B |
7 |
A |
|
Disipación total en |
P tot |
115 |
W |
|
Temperatura máxima de funcionamiento en la unión |
T j |
150 |
o C |
|
Temperatura de almacenamiento |
T stg |
0 |
o C |
E L E C T R I C A L CH AR AC T E R I S T I C S ( T a = 2 5 O C)
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Parámetro |
Símbolo |
Prueba Condiciones |
Mín. |
Típ. |
Máx. |
Unidad |
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Corriente de corte del colector |
I CEO |
V CE =50V, I B =0 |
"—" |
"—" |
0.7 |
mA |
|
Corriente de corte del emisor |
I EBO |
V EB =7V, I C =0 |
"—" |
"—" |
5.0 |
mA |
|
Voltaje de Sostenimiento Colector-Emisor |
V CEO |
I C =100mA, I B =0 |
60 |
"—" |
"—" |
V |
|
Ganancia de Corriente Continua |
h FE(1) |
V CE =4.0V, I C =4.0A |
30 |
"—" |
70 |
|
|
h FE(2) |
V CE =4.0V, I C =10A |
15 |
"—" |
|
|
|
|
Voltaje de saturación colector-emisor |
V CE(sat) |
I C =4.0A,I B =400mA |
"—" |
"—" |
1.0 |
V |
|
I C =10A,I B =3.3A |
"—" |
"—" |
3.0 |
|||
|
Voltaje de encendido base-emisor |
V BE(on) |
V CE =4V,I C =4.0A |
"—" |
"—" |
1.8 |
V |
|
Producto de la frecuencia de ganancia de corriente |
f T |
V CE =4.0V,I C =500mA |
"—" |
3.0 |
"—" |
MHz |
Para obtener más información sobre 2N3055/MJ2955 por favor descargue el archivo PDF arriba llamado "2N3055-MJ2955-E PST"