YZPST-150B120F23
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de accionamiento de servo AC y DC
UPS (Fuentes de alimentación ininterrumpida)
Máquina de soldadura de conmutación suave
Características
Baja Vce(sat) con tecnología Trench Field-stop
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluyendo FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Alta capacidad de cortocircuito (10us)
Estructura de módulo de baja inductancia
Temperatura máxima de unión 175℃
Módulo de potencia IGBT YZPST-150B120F23
VCE=1200V IC=150A
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de accionamiento de servo de CA y CC
UPS (Fuentes de alimentación ininterrumpida)
Máquina de soldadura de conmutación suave
Características
Bajo Vce(sat) con tecnología de parada de campo de trinchera
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluyendo recuperación rápida y suave en antiparalelo FWD
Alta capacidad de cortocircuito (10us)
Estructura de módulo de baja inductancia
Temperatura máxima de unión 175℃
Absoluto Máximo Clasificaciones
|
Parámetro |
Símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
|
Voltaje colector-emisor |
VCES |
VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ |
1200 |
V |
|
Corriente continua del colector |
IC |
Tc=100℃ |
150 |
A |
|
Corriente colector pico |
ICRM |
tp=1ms |
300 |
A |
|
Voltaje compuerta-emisor |
VGES |
Tvj=25℃ |
±20 |
V |
|
Disipación total de potencia (IGBT-inversor) |
Ptot |
Tc=25℃ Tvjmax=175℃ |
968 |
W |
Características del IGBT
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Voltaje Umbral Puerta-Emisor | VGE(th) | VGE=VCE, IC =4mA,Tvj=25℃ | 5.2 | 6 | 6.8 | V |
| VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Corriente de corte colector-emisor | ICES | VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Colector-emisor | Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.8 | 2.1 | V | ||
| Tensión de saturación | VCE(sat) | Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Capacitancia de entrada | Cies | 9.8 | nF | |||
| Capacitancia de salida | Coes | VCE=25V,VGE =0V, | 0.82 | nF | ||
| Capacitancia de transferencia inversa | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.48 | nF | ||
| Resistencia interna de compuerta | Rgint | 2.5 | Ω | |||
| Tiempo de retardo de encendido | td(on) | 185 | Ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC = 150 A | 55 | Ns | ||
| Tiempo de apagado | td(off) | VCE = 600 V | 360 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = 15V | 115 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG = 5.1Ω | 15.4 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj=25℃ | 11.6 | mJ | ||
| Tiempo de retardo de encendido | td(on) | 200 | Ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC = 150 A | 60 | Ns | ||
| Tiempo de apagado | td(off) | VCE = 600 V | 420 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = 15V | 120 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG = 5.1Ω | 23.2 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj=125℃ | 17 | mJ | ||
| Tp≤10us,VGE=15V, | ||||||
| SC Data | Isc | Tvj=150℃,Vcc=600V, | 500 | A | ||
| VCEM≤1200V | ||||||
Características del Diodo
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Corriente Directa del Diodo | IF | Tc=100℃ | 150 | A | ||
| Corriente Directa Pico Adelante | IFRM | 300 | A | |||
| IF=150A,Tvj=25℃ | 1.8 | 2.3 | V | |||
| Voltaje Directo | VF | IF=150A,Tvj=125℃ | 1.85 | V | ||
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Carga Recuperada | Qrr | 13.4 | uC | |||
| IF =150 A | ||||||
| Corriente de recuperación inversa máxima | Irr | VR=600V | 143 | A | ||
| Tiempo de recuperación inversa | trr | -diF/dt =2200A/us | 160 | ns | ||
| Energía de Recuperación Inversa | Erec | Tvj=25℃ | 9.1 | mJ | ||
| Carga Recuperada | Qrr | 26.1 | uC | |||
| IF =150 A | ||||||
| Corriente de recuperación inversa máxima | Irr | VR=600V | 178 | A | ||
| Tiempo de recuperación inversa | trr | -diF/dt =2200A/us | 440 | ns | ||
| Energía de Recuperación Inversa | Erec | Tvj=125℃ | 15.4 | mJ | ||
Características del Módulo TC=25°C a menos que se especifique lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| Voltaje de Aislamiento | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Temperatura Máxima de Unión | Tjmax | 150 | ℃ | |||
| Temperatura de Unión en Funcionamiento | Tvjop | -40 | 125 | ℃ | ||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| por IGBT-inversor | 0.155 | K/W | ||||
| Junction-to Case | R heta jc | por diodo-inversor | 0.292 | K/W | ||
| Caso a disipador | Rθcs | Grasa conductiva aplicada | 0.05 | K/W | ||
| Módulo de electrodos de par | Mt | Recomendado (M5) | 2.5 | 5 | N·m | |
| Módulo a par de montaje | Ms | Recomendado (M6) | 3 | 5 | N·m | |
| Peso del módulo | G | 150 | g | |||
Dimensiones del paquete
Para obtener más información sobre YZPST-150B120F23 por favor descargue el archivo PDF arriba llamado " YZPST-150B120F23 "