Símbolo

Valor

Unidad

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

1200

V

IGT

10-20

mA

Símbolo

PARÁMETRO

Valor

Unidad

IT(RMS)

Corriente eficaz en estado de conducción total (todos los ángulos de conducción)

TO-220AB

Tc=90℃

25

A

ITSM

Corriente pico de sobretensión no repetitiva en estado de conducción (medio ciclo senoidal, Tj=25℃)

F=50HZ tp=10ms

250

A

I2t

Valor de I2t para fusión

tp=10ms

312

A2 S

di/dt

Tasa repetitiva de aumento del estado de encendido

Corriente después del disparo

F=120HZ,Tj=125℃

100

A/ μs

VDRM

VRRM

Voltaje Repetitivo Pico de Estado Apagado

Voltaje Repetitivo Pico Inverso

Tj=25℃

1200

V

IGM

Corriente pico de compuerta, tp=20us,

Tj=125℃

4

A

PG(AV)

Disipación promedio de potencia en la compuerta

Tj=125℃

1

W

Tstg

Rango de temperatura de unión de almacenamiento

-40 a +150

°C

Tj

Rango de temperatura de unión de operación

-40 a +125

°C

Símbolo

Condición de prueba

Cuadrante

Valor

Unidad

IGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

Ⅰ

MÁX

25

mA

VGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

Ⅰ

MÁX

1.2

V

VGD

VD=VDRM RL=3.5K Tj=125℃

MIN

0.2

V

IH

IT=100mA, IG=50mA

MÁX

50

mA

IL

IG=1.2IGT

Ⅰ

MÁX

80

mA

dv/dt

VD=67% VDRM puerta abierta (Tj=125℃)

MIN

1000

V/μs

Símbolo

Parámetro

Valor

Unidad

VTM

IT=50A, IG=50mA, T=25°C

MÁX

1.50

V

IDRM/IRRM

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=25℃

MÁX

5

μA

H.T.IDRM/IRRM

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=125℃

MÁX

1

mA

Rth(j-c)

Junction to case(DC), TO-220A

MÁX

0.9

℃/W