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YZPST-30TPS12
30TPS12 Tiristores P/N:YZPST-30TPS12
Alta tensión 30TPS12 30A SCR TO-247
DESCRIPCIÓN:
La serie de tiristores de alta tensión 30TPS12 está diseñada específicamente para aplicaciones de conmutación de potencia media y control de fase. La tecnología de pasivación de vidrio utilizada garantiza un funcionamiento fiable hasta una temperatura de unión de 125 °C. Las aplicaciones típicas incluyen rectificación de entrada (arranque suave) y estos productos están diseñados para ser utilizados con diodos de entrada, interruptores y rectificadores de salida, que están disponibles en contornos de paquete idénticos.
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30TPS12 Tiristores P/N:YZPST-30TPS12
Alta tensión 30TPS12 30A SCR TO-247
DESCRIPCIÓN:
La serie de rectificadores controlados de silicio de alta tensión 30TPS12 está diseñada específicamente para aplicaciones de conmutación de potencia media y control de fase. La tecnología de pasivación de vidrio utilizada garantiza un funcionamiento fiable hasta una temperatura de unión de 125 °C. Las aplicaciones típicas son en rectificación de entrada (arranque suave) y estos productos están diseñados para ser utilizados con diodos de entrada, interruptores y rectificadores de salida, que están disponibles en contornos de paquete idénticos.
Símbolo
|
Símbolo |
Valor |
|
IGT |
≥35 mA |
|
IT(RMS) |
30 A |
|
VRRM |
1200 V |
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°C, a menos que se especifique lo contrario)
|
Símbolo |
PARÁMETRO |
Valor |
Unidad |
|
V DRM |
Voltaje repetitivo pico de bloqueo (Tj = 25°C) |
1200 |
V |
|
VRRM |
Voltaje repetitivo pico inverso (Tj=25°C) |
1200 |
V |
|
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°) |
20 |
A |
|
IT(RMS) |
Corriente eficaz en estado de conducción (onda completa senoidal) |
30 |
A |
|
ITSM |
Corriente pico no repetitiva de sobretensión en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°, F=50Hz, TC=85°C) |
300 |
A |
|
I2t |
I2t para Fusión (t = 10 ms) |
450 |
A2s |
|
dI / dt |
Tasa crítica de aumento de corriente en estado activo (I = 2 × IGT, tr ≤ 100 ns) |
50 |
A/μs |
|
IGM |
Corriente Pico de Puerta |
4 |
A |
|
PG(AV) |
Disipación promedio de potencia en la compuerta |
1 |
W |
|
Tstg |
Rango de temperatura de almacenamiento en la unión |
-40 ~ 150 |
°C |
|
TJ |
Rango de temperatura de operación del empalme |
-40 ~ 125 |
°C |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj = 25°C, a menos que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | |
| Mín | Máx | |||
| IGT | V = 12V R =33Ω | 35 | mA | |
| VGT | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | 0.2 | V | |
| IL | IG=1.2IGT | 180 | mA | |
| IH | IT=500mA | 120 | mA | |
| dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | 500 | V/μs | |
| VTM | ITM = 45A tp=380μs | 1.7 | V | |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | 20 | μA | |
| IRRM | 4 | mA | ||
DATOS MECÁNICOS DEL PAQUETE
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