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YZPST-BT151S-650R
P/N:YZPST-BT151S SCRS
650V BT151S-650R TO-252 SCR fabricante
Paquete
TO-252-2L
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P/N:YZPST-BT151S SCRS
650V BT151S-650R TO-252 SCR fabricante
Paquete
TO-252-2L
Característica principal (Tj= 25℃)
|
Símbolo |
Valor |
Unidad |
|
IT(AV) |
7.5 |
A |
|
VDRM / VRRM |
≥600 |
V |
|
IGT |
3to 6 |
mA |
Valores absolutos (Valores límite)
|
Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
|
TI (RMS) |
Corriente de estado estable RMS (ángulo de conducción de 180 °) |
12 |
A |
|
IT(AV) |
Corriente de estado estable AV (ángulo de conducción de 180 °) |
7.5 |
A |
|
ITSM |
Pico de sobretensión no repetitiva en estado estable Corriente (tp=10ms) |
100 |
A |
|
I2t |
(tp=10ms) |
50 |
A2S |
|
IGM |
Corriente pico de compuerta (tp=20us) |
2 |
A |
|
PGM |
Potencia pico de compuerta |
5 |
W |
|
PG(AV) |
Potencia media de la compuerta |
0.5 |
W |
|
Tstg Tj |
Temperatura de almacenamiento Temperatura de operación del diodo |
-40--+150 -40--+125 |
°C |
Resistencias térmicas
|
Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
|
Rth (j-mb) |
Unión a la caja |
2.0 |
K/W |
|
Rth (j-a) |
Unión al ambiente |
75 |
K/W |
Características eléctricas erísticas ( Tj=25 ℃ a menos que se indique lo contrario )
| Símbolo | Condiciones de prueba | Valor | Unidad | |||
| Mín | Tipo | Máx | ||||
| Yo GT | V D =6V, R L = 100 \u03a9 | 3 | 5 | 6 | uA | |
| V GT | V D = 12V, R L = 100 \u03a9 | ----- | 0.7 | 0.8 | V | |
| V GD | V D = V DRM , R L =3.3K Tj =110℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
| Yo H | Yo T = 100 mA Gate Open | ----- | 10 | mA | ||
| Yo L | Yo G = 1.2 Yo GT | 20 | mA | |||
| d V / dt | V D =67% V DRM , GateOpen , Tj =125℃ | 50 | 125 | v/ s | ||
| ----- | ||||||
| V TM | Yo T = 16A, tp =380 s | ----- | ----- | 1.6 | V | |
| Yo DRM | V D =V DRM | 10 | A | |||
| 500 | A | |||||
| V R =V RRM | T j =25℃ | ----- | ----- | 10 | A | |
| Yo RRM | T j =125℃ | ----- | ----- | 500 | A | |
Measure of package
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