YZPST-BT152-800R-2326 20A 800V BT152-800R Estructura de mesa única SCR
BT152-600R/800R
Proceso de pasivación de vidrio de mesa 600V BT152-600R TO-220 SCR
YZPST-BT152-800R
- Características del producto
Dispositivo unidireccional de silicio estructura de cuatro capas NPNP,
P+ en el aislamiento de difusión a través,
Estructura de mesa única (Single Mesa),
Proceso de pasivación de vidrio de mesa,
El electrodo metálico de la parte posterior (ánodo): Ti-Ni-Ag
Alta capacidad de resistencia a golpes de corriente
Propósitos principales
Interruptor de corriente alterna,
Convertidor de energía AC DC,
Control de calefacción eléctrica
Control de velocidad del motor
Paquete
TO-220M1 TO-220F
BT152-600R/800R
YZPST-BT152-800R
-
Características del producto
Dispositivo unidireccional de silicio estructura de cuatro capas NPNP,
P+ en el aislamiento por difusión a través de,
Estructura de mesa única (Single Mesa),
Proceso de pasivación de vidrio de mesa
El metal del electrodo posterior (ánodo): Ti-Ni-Ag
La alta capacidad de resistencia al choque de corriente
•Los propósitos principales
Interruptor de corriente alterna,
Convertidor de corriente AC DC,
El control del calentamiento eléctrico
Control de velocidad del motor
Paquete
TO-220M1 TO-220F
Característica principal (Tj=25℃)
| Símbolo | Valor | Unidad |
| Yo T (RMS) | 20 | A |
| V DRM V RRM | 600/800 | V |
| Yo GT | \[menor o igual] 200 | uA |
Valores límite (valores límite)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| Yo T (RMS) | Corriente eficaz en estado activo (180 \[grados] ángulo de conducción) | 20 | A |
| Yo T(AV) | Corriente de estado activo (AV) 180 \[grados] ángulo de conducción) | 13 | A |
| Yo TSM | Pico no repetitivo de corriente de estado activo | 200 | A |
| Corriente (tp=10ms) | |||
| Yo GM | Corriente pico de compuerta (tp=20us) 20us) | 4 | A |
| P GM | Potencia pico de la puerta | 5 | W |
| P G ( AV ) | Potencia media de la puerta | 1 | W |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | 110 | ℃ |
| Tj | Operating junction temperatura | 85 |
Resistencias térmicas
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
| TO-220M1 | 2.2 | |||
| Rth (j-c) | Junction to case | TO-220F | 2.5 | ℃ /W |
Características eléctricas (Tj=25℃ a menos que se indique lo contrario)
| Símbolo | Condiciones de prueba | Valor | Unidad | |||
| Mín | Tipo | Max | ||||
| Yo GT | V D =12V, R L =33 Ω | ---- | 5 | 25 | mA | |
| V GT | V D =12V, R L =33 Ω | ----- | ----- | 1.3 | V | |
| V GD | V D = V DRM , R L =3.3K Ω , R GK =1K Ω , Tj =125℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
| Yo H | Yo T =500mA | ----- | ----- | 30 | mA | |
| Yo L | Yo G =1.2I GT | ----- | ----- | 60 | mA | |
| d V /dt | V D =67% V DRM , GateOpen , Tj =110℃ | 500 | v/ μ s | |||
| ----- | ----- | |||||
| V TM | Yo T =30A,tp=380 μ s | ----- | ----- | 1.6 | V | |
| d Yo /dt | Yo G =2I GT | 50 | ----- | ----- | A/ μ s | |
| Yo 2 T | Tp=10ms | ----- | ----- | 200 | A 2 S | |
| T j =25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| Yo DRM | V D =V DRM | T j =125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
| T j =25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| Yo RRM | V R = V RRM | T j =125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
Measure of package
((TO--220F))