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YZPST-BTA40-800B TG40C80 Alta capacidad de sobretensión 400A TG40C80 triac moldeado aislado
YZPST-BTA40-800B TG40C80
Alta capacidad de sobretensión 400A TG40C80 triac moldeado aislado
TRIAC (TIPO AISLADO)
TG40C/E/D son triacs moldeados aislados
adecuados para una amplia gama de aplicaciones como
copiadora, horno de microondas, interruptor de estado sólido,
control de motor, control de luz y control de calentador
IT AV 40A
Alta capacidad de sobretensión 400A
Montaje aislado AC2500V
Terminales de pestaña
YZPST-BTA40-800B TG40C80
Alta capacidad de sobretensión 400A TG40C80 triac moldeado aislado
TG 40 C/E/D son triacs moldeados aislados
adecuados para una amplia gama de aplicaciones como
copiadora, horno de microondas, interruptor de estado sólido,
control de motor, control de luz y calentador
control.
IT AV 40 A
Alta capacidad de sobretensión 400A
Montaje aislado AC2500V
Terminales de pestaña
Ratings máximos
|
Símbolo |
Ítem |
Condiciones |
Clasificaciones |
Unidad |
|
Yo T RMS |
Corriente de estado activo R.M.S. |
Tc |
40 |
A |
|
Yo TSM |
Corriente de estado activo de sobretensión |
Un ciclo, 50Hz/, pico, no repetitivo |
400 |
A |
|
Yo 2 t |
I2t |
Valor para un ciclo de corriente de sobretensión |
880 |
A 2 S |
|
P GM |
Disipación pico de potencia de compuerta |
|
10 |
W |
|
P G AV |
Disipación Promedio de Potencia en la Puerta |
|
1 |
W |
|
Yo GM |
Corriente Máxima de la Puerta |
|
8 |
A |
|
V GM |
Voltaje Máximo de la Puerta |
|
10 |
V |
|
di/dt |
Tasa Crítica de Aumento de la Corriente de Estado Activo |
IG=100mA,Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/ μS |
50 |
A/ S |
|
Tj |
Temperatura de la Unión de Operación |
|
-25 +125 |
℃ |
|
T stg |
Temperatura de Almacenamiento |
|
-40 +125 |
℃ |
|
V ISO |
Tensión de ruptura de aislamiento R.M.S. |
A.C. 1 minuto |
2500 |
V |
|
|
Par de apriete de montaje M4 |
Valor recomendado 1.0 1.4 uff08 10 14 uff09 |
14 |
kgf.CM |
Ratings máximos
Tj=25 a menos que se especifique lo contrario
|
Símbolo |
Ítem |
Clasificaciones |
Unidad |
|||
|
TG 40 C60 |
TG 40 C80 |
TG 40 C1 0 0 |
TG 40 C12 |
V |
||
|
V DRM |
Voltaje de estado estacionario repetitivo |
6 00 |
800 |
1000 |
1200 |
V |
Características Eléctricas
|
Símbolo |
Ítem |
Condiciones |
Clasificaciones |
Unidad |
|
|
Yo DRM |
Corriente Repetitiva Máxima de Estado Estacionario, máx |
VD=VDRM, Monofásico, media onda, Tj=125℃ |
5 |
mA |
|
|
V TM |
Tensión Máxima de Encendido Directo |
Corriente de Encendido Directo √ 2X IT (RMS), medición instantánea |
1. 55 |
V |
|
|
Yo GT1 + |
1 |
Corriente de Disparo de Compuerta, máx |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
Yo GT1 - |
2 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
|
Yo GT3 + |
3 |
|
- |
mA |
|
|
Yo GT3 + |
4 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
|
V GT1+ |
1 |
Tensión de disparo de compuerta, máx |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
|
V GT1- |
2 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
|
|
V GT3+ |
3 |
|
- |
V |
|
|
V GT3- |
4 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
3 |
|
|
|
V GD |
Voltaje de puerta no disparador, mínimo |
Tj =25℃, VD=1/2VRRM |
0.2 |
V |
|
|
tgt |
Tiempo de encendido, máximo |
IT=(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDRM,Tj=25℃,dIG/dt=1A/ μ S |
10 |
V |
|
|
dv/dt |
Tasa crítica de aumento del voltaje de estado activo, mínimo |
Tj=25℃,VD=2/3VDRM Onda exponencial |
500 |
V/ μ S |
|
|
(dv/dt) c |
Tasa crítica de aumento de voltaje fuera de estado en la conmutación, mín. |
Tj=25℃, VD=2/3VDRM di/dtc=15A/ μ S |
5 |
V/ μ S |
|
|
Yo H |
Corriente de retención, típ. |
Tj =25℃ |
60 |
mA |
|
|
R th(j-c) |
Impedancia térmica, máx |
Juntura a carcasa |
0.9 |
℃/W |
|
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