VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Rango de temperatura de almacenamiento en la unión

Tstg

-40 ~150

℃

Rango de temperatura de la unión de operación

Tj

-40~125

℃

Voltaje repetitivo pico de estado no conducción (T =25℃)

V DRM

1400

V

Voltaje repetitivo pico inverso (T =25℃)

V RRM

1400

V

Voltaje pico de estado apagado no repetitivo

V DSM

V _DRM +100

V

Voltaje pico inverso no repetitivo

V RSM

V _RRM +100

V

Corriente RMS de estado encendido

I T(RMS)

1.25

A

Corriente pico en estado de encendido no repetitiva

(180 ángulo de conducción, F=50Hz)

I TSM

20

A

I 2 valor de tiempo para fusión (tp=10ms)

I 2 t

2.0

A 2 S

Tasa crítica de aumento de la corriente de estado activo

(I =2 u00d7 IGT , tr u2264 100 ns )

d i /dt

5 0

A/ S

Corriente pico de compuerta

I GM

1.0

A

Disipación promedio de potencia de compuerta

P G(AV)

0.1

W

Máximo d temperatura del dispositivo para

propósitos de soldadura ( para 10 segundos m máximo )

T _L

260

℃

nivel de ESD

HBM

Clase 3 (4000-16000V)

Nivel de sensibilidad a la humedad

MSL

Tres niveles

(30 ℃ ,60%RH,168h)

Resistencias térmicas

Símbolo

Parámetro

Valor

Unidad

Rth(j-a)

unión al ambiente (DC)

60

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

25

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T=25℃ a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo

Condición de prueba

Valor

Unidad

MÍN.

TÍP.

MÁX. .

I GT

V =12V R =140Ω

20

50

100

µ A

V GT

-

0.8

1.0

V

V GD

V _D =V _DRM Tj=125℃ R=1KΩ

0.2

V

I _L

I _G =1.2I _GT

-

-

6

mA

I _H

IT=50mA

-

-

5

mA

dV/dt

VD=600V ,RGK=1KΩ, Tj=110℃

100

-

-

V/μs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Símbolo

Parámetro

Valor( MÁX. . )

Unidad

V TM

ITM =2.5A tp=380μs

Tj =25℃

1. 5

V

I DRM

V D =V DRM V R =V RRM

Tj =25℃

5

μA

I RRM

Tj =125℃

0.5

mA