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YZPST-G100HF120D1
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YZPST-G100HF120D1

Módulo IGBT de 1200V 100A N/P: YZPST-G100HF120D1

Características:
1200V100A, VCE(sat)(typ.)=3.0V Diseño inductivo bajo                             
Menores pérdidas y mayor energía
Velocidad de conmutación ultra rápida
Excelente resistencia a cortocircuitos
Aplicaciones Generales:
 Inversor Auxiliar
 Calentamiento e Soldadura Inductiva

 Sistemas de UPS

Correo electrónico: info@yzpst.net

Tel: 008613805278321

Whatsapp: 8613805278321

YZPST-G100HF120D1
YZPST-G100HF120D1-M325(1).pdf
descripción1
Cierre de cremallera Sudaderas deportivas 1/5 con cremallera para hombres. Tejido elástico, ligero, de secado rápido para un rendimiento superior. AJUSTE REGULAR - Tallas estándar de EE. UU. Un ajuste atlético que se ajusta cerca del cuerpo para una amplia gama de movimientos, diseñado para un rendimiento óptimo y comodidad durante todo el día. CARACTERÍSTICAS - Cierre de cremallera cuarto de longitud; Agujeros para los pulgares en las mangas largas para mantenerlas en su lugar durante el entrenamiento
Introducción del producto

Módulo IGBT de 1200V 100A N/P: YZPST-G100HF120D1

Características:
1200V100A, VCE(sat)(typ.)=3.0V Diseño de baja inductancia
Menores pérdidas y mayor energía
Velocidad de conmutación ultra rápida
Excelente resistencia a cortocircuitos
Aplicaciones generales:
Inversor auxiliar
Calentamiento inductivo y soldadura

Sistemas UPS

Valores Máximos Absolutos de IGBT

VCES Voltaje Colector a Emisor 1200 V
VGES Voltaje Continuo de Puerta a Emisor ±30 V
TC = 25°C 200
IC Corriente colectora continua TC = 100°C 100 A
ICM Corriente colectora de pulso TJ = 150°C 200 A
PD Disipación máxima de potencia (IGBT) TC = 25°C, 430 W
tsc > 10 µs
Tiempo de resistencia a cortocircuito
Temperatura máxima de unión IGBT 150 °C
TJ
TJOP
Rango Máximo de Temperatura de Unión de Operación -40 a +150 °C
Tstg Rango de Temperatura de Almacenamiento -40 a +125 °C
VRRM Voltaje Inverso Repetitivo Máximo Preliminar 1200 V
TC = 25°C 200
IF Corriente continua directa del diodo TC = 100°C 100 A
IFM Corriente máxima directa del diodo 200 A

Clasificaciones máximas absolutas del diodo de rueda libre

VRRM Voltaje inverso pico repetitivo Datos preliminares 1200 V
TC = 25°C 200
IF Corriente continua directa del diodo TC = 100°C 100 A
IFM Corriente máxima directa del diodo 200 A

Características de conmutación de IGBT

td(on) TJ = 25°C 30
Turn-on Delay Time ns
TJ = 125°C 35
TJ = 25°C 50
tr Turn-on Rise Time TJ = 125°C 55 ns
TJ = 25°C 380
td(off) Tiempo de apagado TJ = 125°C 390 ns
TJ = 25°C 110
tf Tiempo de caída de apagado TJ = 125°C 160 ns
VCC = 600V TJ = 25°C 4.6
Eon Pérdida de conmutación de encendido IC = 100A TJ = 125°C 5.7 mJ
RG = 5.6Ω TJ = 25°C 3.1
Eoff Pérdida de conmutación de apagado VGE = 15V TJ = 125°C 5.1 mJ
Qg Carga total de compuerta Carga inductiva TJ = 25°C 870 nC
Rgint Resistor de compuerta integrado f = 1M; TJ = 25°C 1.9 Ω
Vpp = 1V
Cies Capacitancia de Entrada TJ = 25°C 8
VCE = 25V
Coes Capacitancia de Salida VGE = 0V TJ = 25°C 1.35 nF
Cres Transferencia Inversa f = 1MHz TJ = 25°C 0.81
Capacitancia
RθJC Resistencia Térmica, Unión a Caja (IGBT) 0.29 °C/W

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