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YZPST-G100HF65D1
650V 100A Módulo IGBT YZPST-G100HF65D1
Características:
650V100A, VCE(sat)(typ.)=1.80V
Diseño de baja inductancia
Menores pérdidas y mayor energía
Tecnología Field Stop IGBT
Excelente resistencia a cortocircuitos
Aplicaciones generales:
Inversor auxiliar
Calentamiento e soldadura inductiva
Aplicaciones solares
Sistemas UPS
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Módulo IGBT de 650V 100A YZPST-G100HF65D1
Características:
650V100A, VCE(sat)(typ.)=1.80V
Diseño inductivo bajo
Menores pérdidas y mayor energía
Tecnología Field Stop IGBT
Excelente resistencia a cortocircuitos
Aplicaciones generales:
Inversor auxiliar
Calentamiento inductivo y soldadura
Aplicaciones Solares
Sistemas UPS
Valores Máximos Absolutos de IGBT
| VCES | Voltaje Colector a Emisor | 650 | V | |
| VGES | Voltaje Continuo de Puerta a Emisor | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Corriente colector continua | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Corriente colector de pulso | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Disipación Máxima de Potencia (IGBT) | TC = 25°C, | 390 | W |
| TJ = 150°C | ||||
| tsc | Tiempo de Resistencia a Cortocircuito | > 10 | μs | |
| TJ | Temperatura Máxima de la Unión IGBT | 150 | °C | |
| TJOP | Rango de Temperatura de Operación Máxima de la Unión | -40 a +150 | °C | |
| Tstg | Rango de Temperatura de Almacenamiento | -40 a +125 | °C | |
Absoluto Máximo Clasificaciones de Gratis rueda Diodo
| VRRM | Voltaje Inverso Repetitivo Máximo Preliminar | 650 | V | |
| Corriente Continua Directa del Diodo | TC = 25°C | 200 | ||
| IF | Corriente Continua Directa del Diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corriente Máxima Directa del Diodo | 200 | A | |
Eléctrico Características de IGBT en T J = 25°C (A menos que se especifique lo contrario)
| Parámetro | Condiciones de prueba | Mín | Típ | Máx | Unidad | ||
| BVCES | Voltaje de ruptura colector a emisor | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | V | |||
| ICES | Colector a emisor | VGE = 0V, VCE = VCES | 1 | mA | |||
| Corriente de Fuga | |||||||
| IGES | Corriente de Fuga de Compuerta a Emisor | VGE = ±30V, VCE = 0V | 200 | nA | |||
| VGE(th) | Voltaje Umbral de Compuerta | IC = 1mA, VCE = VGE | 4.5 | 5.5 | V | ||
| TJ = 25°C | 1.8 | 2 | |||||
| VCE(sat) | Collector to Emitter Saturation Voltage (Module Level) | IC = 100A, VGE = 15V | TJ = 125°C | 2 | V | ||
Características de conmutación de IGBT
| td(on) | Tiempo de retardo de encendido | TJ = 25°C | 60 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida de encendido | TJ = 25°C | 55 | ns | |||
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | VCC = 400V | TJ = 25°C | 210 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída de apagado | IC = 100A | TJ = 25°C | 65 | ns | ||
| Eon | Pérdida de conmutación de encendido | RG = 10Ω | TJ = 25°C | 1.2 | mJ | ||
| Eoff | Pérdida de conmutación de apagado | VGE = ±15V | TJ = 25°C | 1 | mJ | ||
| Qg | Carga total de compuerta | Carga inductiva | TJ = 25°C | 500 | nC | ||
| Rgint | Resistor de puerta integrado | f = 1M; | TJ = 25°C | 6.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Capacitancia de entrada | TJ = 25°C | 3.9 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacitancia de salida | VGE = 0V | TJ = 25°C | 0.35 | nF | ||
| Cres | Transferencia inversa | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0.25 | |||
| Capacitancia | |||||||
| RθJC | Resistencia Térmica, Unión a la Carcasa (IGBT) | 0.32 | °C/W | ||||
Características Eléctricas y de Conmutación de Freewheeling Voltaje Directo del Diodo Diodo
| Voltaje Directo del Diodo | TJ = 25°C | Voltaje Directo del Diodo | |||||
| IF = 100A , | VGE = 0V | V | |||||
| VGE = 0V | TJ = 125°C | 1.2 | |||||
| trr | Tiempo de Recuperación Inversa del Diodo | IF = 100A, | TJ = 25°C | 80 | ns | ||
| Irr | Corriente Pico de Recuperación Inversa del Diodo | di/dt = 550A/μs, Vrr = 400V, | TJ = 25°C | 30 | A | ||
| Qrr | Carga de Recuperación Inversa del Diodo | TJ = 25°C | 6.2 | uC | |||
| RθJC | Resistencia Térmica, Unión a la Carcasa (Diodo) | 0.75 | °C/W | ||||
Características del Módulo
|
Parámetro |
Mín. |
Típ. |
Máx. |
Unidad |
|
|
Viso |
Voltaje de aislamiento (Todos los terminales cortocircuitados), f = 50Hz, 1 minuto |
2500 |
|
|
V |
|
RθCS |
Caja-a-disipador (grasa conductiva aplicada) |
|
0.1 |
|
°C/W |
|
M |
Terminales de potencia tornillo: M5 |
3.0 |
|
5.0 |
N·m |
|
M |
Tornillo de montaje: M6 |
4.0 |
|
6.0 |
N·m |
|
G |
Peso |
|
160 |
|
g |
Circuito interno:
Dimensión del paquete
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