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YZPST-G15N65T
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YZPST-G15N65T

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YZPST-G15N65T
YZPST-YGK15N65T1.pdf
YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts 20200518.pdf
descripción1
Cierre de cremallera Sudaderas deportivas 1/5 con cremallera para hombres. Tejido elástico, ligero, de secado rápido para un rendimiento superior. AJUSTE REGULAR - Tallas estándar de EE. UU. Un ajuste atlético que se ajusta cerca del cuerpo para una amplia gama de movimientos, diseñado para un rendimiento óptimo y comodidad durante todo el día. CARACTERÍSTICAS - Cierre de cremallera cuarto de longitud; Agujeros para los pulgares en las mangas largas para mantenerlas en su lugar durante el entrenamiento
DESCRIPCIÓN
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Características

Temperatura máxima de la unión 150°C
Alta tensión de ruptura de hasta 650V para una mayor fiabilidad
Clasificado como resistente a cortocircuitos
Muy baja tensión de saturación:
VCE(SAT) = 1.65V (Typ.) @ IC = 15A
Formas de onda de apagado de corriente suave

VCE

650

V

IC

15

A

VCE(SAT) IC=15A

1.65

V

Aplicaciones

Aplicaciones de conmutación suave
Aire acondicionado
Inversor de accionamiento de motor

Producto

Paquete

Embalaje

YZPST-15N65T1

TO-220

Tubo

YZPST-15N65T1

TO-263

Tubo

YZPST-15N65T1

TO-220F

Tubo

Máximas calificaciones uff08Tj= 25℃ a menos que se especifique lo contrariouff09

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Voltaje de ruptura colector-emisor

VCE

650

V


Corriente de colector de CC, limitada por Tjmax
TC = 25°C
TC = 100°C



IC



30
15



A


Corriente directa del diodo, limitada por Tjmax
TC = 25°C
TC = 100°C



SI



30
15



A

Voltaje de compuerta-emisor continuo

VGE

±20

V

Voltaje transitorio compuerta-emisor

VGE

±30

V


Apague el área de operación segura VCE 650V,
Tj \[leq] 150°C


-

60

A

Corriente del colector pulsada, VGE=15V, tp limitado por Tjmax

ICM

45

A

Tiempo de resistencia al cortocircuito, VGE= 15V, VCE≤ 400V

Tsc

5

μs

Disipación de potencia TO-220F, Tj=25℃

Ptot

27

W

TO-220,TO-263, Disipación de potencia , Tj=25℃

Ptot

105

W

Temperatura de la unión de funcionamiento

Tj

-40...+150

°C

Temperatura de almacenamiento

Ts

-55...+150

°C

Temperatura de soldadura, soldadura por ola a 1.6mm (0.063in.) del estuche durante 10 segundos


-


260


°C


Resistencia Térmica
Parámetro

Símbolo

TO-220,TO-263

TO-220F

Unidad

Resistencia térmica IGBT, unión - carcasa

Rθ(j-c)

1.2

4.9

K/W

Resistencia térmica del diodo, unión - caja

Rθ(j-c)

2.38

5.8

K/W

Resistencia térmica, unión - ambiente

Rθ(j-a)

62.5

K/W

Características eléctricas del IGBT (Tj= 25℃ a menos que se especifique lo contrario)

Símbolo

Parámetro

Condiciones de prueba

Min.

Typ.

Máximo.

Unidades

Características estáticas (Probado en obleas)

BVCES


Desglose de colector a emisor
Voltaje


VGE = 0V, IC = 1mA

650

-

-

V

VCE(SAT)


Saturación de colector a emisor
Voltaje


IC = 15A, VGE = 15V

-

1.65

1.95

V

VGE(th)

Voltaje Umbral G-E

VGE = VCE, IC = 250μA

4.1

5.0

5.7

V

ICES

Corriente de desconexión del colector

VCE = 650V, VGE = 0V

-

-

25

μA

IGES

Corriente de Fuga G-E

VGE = ±120V, VCE = 0V

-

-

±200

nA

gfs

Transconductancia

VCE=20V, IC=15A

-

10

-

S


Parámetro

Símbolo

Condiciones

Min

Typ

Máximo

Unidad

Dinámico

Capacitancia de entrada

Cies


VCE = 25V, VGE = 0V,
f = 1MHz

-

990

-


pF

Capacitancia de salida

Coes

-

56

-

Capacitancia de transferencia inversa

Cres

-

30

-

Carga de puerta

QG

VCC = 480V, IC = 15A, VGE = 15V

-

92

-

nC

Corriente colectora de cortocircuito

IC（SC）

VGE=15V,tSC≥5us VCC=400V,
Tj, inicio=25°C


-


98


-


A


Característica de conmutación, Carga inductiva (Tj= 25℃ a menos que se especifique lo contrario)
Parámetro

Símbolo

Condiciones

Min.

Typ.

Máximo.

Unidad

Dinámico

Tiempo de retardo de encendido

td(on)




Tj=25°C VCC = 400V, IC = 15A,
VGE = 0/15V, Rg=12Ω


-

15

-

ns

Tiempo de subida

tr

-

25

-

ns

Tiempo de Retardo de Apagado

td(off)

-

60

-

ns

Tiempo de otoño

tf

-

46

-

ns

Turn-on Energy

Eon

-

0.75

-

mJ

Apagar Energía

Eoff

-

0.1

-

mJ


Características eléctricas del DIODO (Tj= 25℃ a menos que se especifique lo contrario)
Parámetro

Símbolo

Condiciones

Min

Typ

Máximo

Unidad

Dinámico

Voltaje directo del diodo

VFM

IF = 15A

-

1.7

-

V

Tiempo de Recuperación Inversa

Trr


IF= 15A VR = 300V,
di/dt =200A/ μs

-

50

-

ns

Corriente de Recuperación Inversa

Irr

-

4

-

A

Carga de Recuperación Inversa

Qrr

-

83

-

nC

Para obtener más información sobre IGBT, descargue el archivo PDF arriba llamado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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